Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Науково-дослiдне обладнання
  • Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD з набором рентгено-оптичних компонент для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї (дво-, та тривiсна конфiгурацiя), а також для дифракцiї в ковзнiй геометрiї (некомпланарна схема) дифракцiї i рефлектометрiї (для аналiзу тонких шарiв, форми квантових точок, величини латеральних напруг, хiмiчного складу) (Голландiя).
  • X'Pert MRD Applications
    X'Pert Epitaxy була розвинута для вирішення проблем матеріалознавства при використанні Х-променевої дифрактометрії. X'Pert Epitaxy використовується для аналізу даних, отриманих при використанні X'Pert PRO дифрактометра для визначення кристалічної якості осаджених шарів. Тонкі шари можуть бути від майже досконалих монокристалів (наприклад: III-V напівпровідникові лазерні структури) до текстурованих полікристалів (напр.: магнето-оксидні шари).
    The functionality includes:
    -calculating the mismatch, composition, thickness and relaxation of layers from rocking curves and maps
    -analysis of regular arrays of rocking curves recorded from a wafer
    -simulation and automatic fitting of rocking curves for semiconductors
    The materials which can be analyzed using X'Pert Epitaxy include
    III-V compound semiconductors: GaAs, AIGaAs, InP, InGaAs, InSb and so on
    II-VI compound semiconductors: CdTe, HgCdTe, ZnSe, ZnTe
    gallium nitride based device structures
    silicon, silicon germanium alloys
    epitaxial high Tc superconductors
    epitaxial metallic layers and multilayers
    highly oriented polycrystalline layers: PtSi on Si and so on
    ferroelectric non-volatile RAM structures
    X'Pert Epitaxy can extract information on structural parameters such as:
    lattice mismatch between layer and substrate
    alloy composition of layer
    layer thickness
    superlattice period
    substrate curvature
    mosaic spread
    layer relaxation
    For information about data collecting procedures see:
    The Diffractometer Axes
    The Reciprocal Space Interface
    Scaling in Reciprocal Space
    Single Scan Directions in Reciprocal Space
    Area scans
    Diffractometer Resolution
    The Reciprocal Lattice of Real Samples
    Recording a Rocking Curve
  • Двокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3 з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки кривих гойдання в сполуках А3В5 (Росiя).
  • Трикристальний рентгенiвський дифрактометр ТРС-001 з сумiщеними оптичними осями для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї (дво-, та тривiсна конфiгурацiя) для аналiзу тонких шарiв, величини латеральних напруг, хiмiчного складу) (Росiя).
  • Двокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки кривих гойдання в кристалах та сполуках кремнiй-германiй (Росiя).
  • Порошковий рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для для зйомки дифрактограм вiд полiкристалiчних та аморфних сполук, фазового аналiзу (Росiя).
  • Однокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки енергетичних залежностей поблизу К-країв поглинання компонент в кристалах (Росiя).

Перелік послуг, які можуть бути надані ЦКК в області виконання вимірювань і аналізів:

  • Визначення концентрації 2-х компонентних твердих розчинів і рівня залишкових пружних деформацій в епітаксійних шарах GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx і інших.
  • Визначення параметрів багатошарових епітаксійних структур методом Х-променевої дифрактометрії. Товщина шарів, склад, період повторення.
  • Вимірювання товщини тонких шарів і шорсткості поверхні по кутових спектрах розсіяння жорсткого Х-випромінювання.
  • Визначення параметрів багатошарових дзеркал з допомогою Х-променевої рефлектометрії. Товщина шарів, період повторення і дисперсія.
  • Визначення відхилення зрізу пластини від кристалографічної площини.
  • Аналіз епітаксійних шарів високотемпературних надпровідників.
 
© 2006-2017