Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Наукова дiяльнiсть
  • Когерентна взаємодiя випромiнювання рентгенiвського дiапазону довжин хвиль з реальними кристалами та багатошаровими епiтаксiйними структурами з метою з'ясування фундаментальних фiзичних принципiв перетворення випромiнювання в умовах динамiчної дифракцiї. Моделювання процесiв динамiчної дифракцiї в багатошарових структурах.
  • Фiзика процесiв дефектоутворення, структурної релаксацiї та мiжфазних взаємодiй в напiвпровiдникових матерiалах i системах.
  • Фiзичнi основи рентгено-дифрактометричного визначення параметрiв реальної структури багатошарових епiтаксiйних плiвок.
  • Аномальна Х-променева дифракцiя в напiвпровiдникових наноструктурах в областi К-країв поглинання.
  • Поверхня, приповерхневi шари, границi подiлу i тонкi плiвки. Вивчення структури i властивостей.
  • Розвиток неруйнiвних методик контролю структурної досконалостi та елементного аналiзу кристалiв, епiтаксiйних систем та приладних структур.

Основні наукові результати за 2016 рік

1. 
Встановлений вплив типу темплейта на структурні властивості надграток (НГ) GaN/AlN. Показано, що НГ, вирощені на AlN темплейті релаксують в основному за рахунок формування дислокацій невідповідності, в той час як НГ, вирощені на GaN темплейті релаксують за рахунок тріщин. Вперше це пояснюється різним впливом остаточних деформацій в системі GaN-буфер/темплейт на рівень деформації в шарах НГ при їх осадженні.
2. У вiддiлi пiд керiвництвом чл.-кореспондента НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька у 2017 р. захищена дисертацiя кандидата фiз.-мат.наук - аспірантом Кривим С.Б.
  

 
© 2006-2017