• Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD з набором рентгено-оптичних компонент для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї (дво-, та тривiсна конфiгурацiя), а також для дифракцiї в ковзнiй геометрiї (некомпланарна схема) дифракцiї i рефлектометрiї (для аналiзу тонких шарiв, форми квантових точок, величини латеральних напруг, хiмiчного складу) (Голландiя).
• X'Pert MRD Applications
  X'Pert Epitaxy була розвинута для вирішення проблем матеріалознавства при використанні Х-променевої дифрактометрії. X'Pert Epitaxy використовується для аналізу даних, отриманих при використанні X'Pert PRO дифрактометра для визначення кристалічної якості осаджених шарів. Тонкі шари можуть бути від майже досконалих монокристалів (наприклад: III-V напівпровідникові лазерні структури) до текстурованих полікристалів (напр.: магнето-оксидні шари).
  The functionality includes:
  -calculating the mismatch, composition, thickness and relaxation of layers from rocking curves and maps
  -analysis of regular arrays of rocking curves recorded from a wafer
  -simulation and automatic fitting of rocking curves for semiconductors
  The materials which can be analyzed using X'Pert Epitaxy include
  III-V compound semiconductors: GaAs, AIGaAs, InP, InGaAs, InSb and so on
  II-VI compound semiconductors: CdTe, HgCdTe, ZnSe, ZnTe
  gallium nitride based device structures
  silicon, silicon germanium alloys
  epitaxial high Tc superconductors
  epitaxial metallic layers and multilayers
  highly oriented polycrystalline layers: PtSi on Si and so on
  ferroelectric non-volatile RAM structures
  X'Pert Epitaxy can extract information on structural parameters such as:
  lattice mismatch between layer and substrate
  alloy composition of layer
  layer thickness
  superlattice period
  substrate curvature
  mosaic spread
  layer relaxation
  For information about data collecting procedures see:
  The Diffractometer Axes
  The Reciprocal Space Interface
  Scaling in Reciprocal Space
  Single Scan Directions in Reciprocal Space
  Area scans
  Diffractometer Resolution
  The Reciprocal Lattice of Real Samples
  Recording a Rocking Curve
• Двокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3 з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки кривих гойдання в сполуках А₃В₅ (Росiя).
  
• Трикристальний рентгенiвський дифрактометр ТРС-001 з сумiщеними оптичними осями для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї (дво-, та тривiсна конфiгурацiя) для аналiзу тонких шарiв, величини латеральних напруг, хiмiчного складу) (Росiя).
  
• Двокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки кривих гойдання в кристалах та сполуках кремнiй-германiй (Росiя).
  
• Порошковий рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для для зйомки дифрактограм вiд полiкристалiчних та аморфних сполук, фазового аналiзу (Росiя).
  
• Однокристальний рентгенiвський дифрактометр ДРОН-3М з мiдним характеристичним випромiнюванням для використання в стандартнiй компланарнiй схемi дифракцiї для зйомки енергетичних залежностей поблизу К-країв поглинання компонент в кристалах (Росiя).
  

Перелік послуг, які можуть бути надані ЦКК в області виконання вимірювань і аналізів:

• Визначення концентрації 2-х компонентних твердих розчинів і рівня залишкових пружних деформацій в епітаксійних шарах GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx і інших.
• Визначення параметрів багатошарових епітаксійних структур методом Х-променевої дифрактометрії. Товщина шарів, склад, період повторення.
• Вимірювання товщини тонких шарів і шорсткості поверхні по кутових спектрах розсіяння жорсткого Х-випромінювання.
• Визначення параметрів багатошарових дзеркал з допомогою Х-променевої рефлектометрії. Товщина шарів, період повторення і дисперсія.
• Визначення відхилення зрізу пластини від кристалографічної площини.
• Аналіз епітаксійних шарів високотемпературних надпровідників.