Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Методи Х-променевої дифракційної діагностики напівпровідникових кристалів та гетероструктур
    Кладько В.П., Фодчук І.М. // Навчальний посібник, Чернівці, 2017, „Рута”, 154 c.

  2. Thermo-stimulated evolution of crystalline structure and dopant distribution in Cu-doped Y-stabilized ZrO2 nanopowders
    N. Korsunska, Yu. Polishchuk, V. Kladko, X. Portier and L. Khomenkova // Materials Research Express, 2017, V.4, No3, 035024.

    Download: [pdf]

  3. Structural and optical properties of ZnS:Mn micro-powders, synthesized from the charge with a different Zn/S ratio
    Yu.Yu. Bacherikov, N.P. Baran, I.P. Vorona, A.V. Gilchuk, A.G. Zhuk, Yu.O. Polishchuk, S.R. Lavorik, V.P. Kladko, S.V. Kozitskii, E.F. Venger, N.E. Korsunska // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, V.28, Issue 12, P.8569-8578. doi:10.1007/s10854-017-6580-8

    Download: [pdf]

  4. Effect of Ge Content on the Formation of Ge Nanoclusters in Magnetron-Sputtered GeZrOx-Based Structures
    L. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V. Kladko, J. von Borany and J. Heitmann // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12: 196.

    Download: [pdf]

  5. Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound
    Aleksey B.Smirnov, Rada K.Savkina, Ruslana S.Udovytska, Oleksandr I.Gudymenko, Vasyl P.Kladko and Andrii A.Korchovyi // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12:320

    Download: [pdf]

  6. Asymmetrical reciprocal space mapping using X-ray diffraction: a technique for structural characterization of GaN/AlN superlattices
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, M. Barchuk, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, Zh.M. Wang, D. Rafaja, G.J. Salamo // CrystEngComm, 2017, V19, Issue 22, P.2977-2982. DOI:10.1039/C7CE00584A

  7. Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics
    Seyed Amir Ghetmiri, Yiyin Zhou, Joe Margetis, Sattar Al-Kabi, Wei Dou, Aboozar Mosleh, Wei Du, Andrian Kuchuk, Jifeng Liu, Greg Sun, Richard A Soref, John Tolle, Hameed A Naseem, Baohua Li, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Optics Letters, 2017, V.42, Issue 3, P.387-390.

  8. Спосіб виготовлення фото-діодів на антимоніді індію
    Кладько В.П., Голтвянський Ю.В., Романюк А.Б., Мельник В.П., Оберемок О.С., Федулов В.В., Сабов Т.М., Сафрюк Н.В.  // Патент України на корисну модель №115174, (10.04.2017).

  9. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
    T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.

    Download: [pdf]

  10. Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatment.
    Alexei N. Nazarov, Volodymyr O. Yukhymchuk, Yurii V. Gomeniuk, Sergiy B. Kryvyi, Pavel N. Okholin, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Volodymyr S. Lysenko, Volodymyr I. Glotov, Illya E. Golentus, Enrico Napolitani, Ray Duffy // Journal of Vacuum Science & Technology, B, 2017, V.35, Issue 5, 051203

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2017