Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Lateral ordering of self-organized SiGe nanoislands grown on Si1-xGex sublayers
    Валах M.Я., Кладько В.П., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Гудыменко А.И., Слободян М.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А. // Journal of Applied Physics. 2010. Т.109. (подготовка)

  2. X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
    Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7.

    Download: [pdf]

  3. The relationship between strain relaxation and well/barrier thickness fluctuation in GaN/AlN short-period superlattices
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo. // Journal of Crystal Growth, 2010. V.325, (in press)

  4. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е.  // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247.

    Download: [pdf]

  5. Study of the mechanisms of oxygen precipitation in RTA annealed Cz-Si wafers
    V. Litovchenko, I. Lisovskyy, M. Voitovych, A. Sarikov, S. Zlobin, V. Kladko, V. Machulin  // Solid State Phenomena. 2010. V.156-158, P.279-282.

    Download: [pdf]

  6. Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2010. V.43. (in press)

    Download: [pdf]

  7. Reliability Tests of Au-metallized Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffusion Barriers.
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Materials Science Forum, 2010. V.645-648 (Silicon Carbide and Related Materials 2009). P.737-740.

    Download: [pdf]

  8. The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd2Si-p+-Si ohmic contacts
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, T.V. Korostinskaya, A.B. Ataubaeva, P.V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.8-11.

    Download: [pdf]

  9. Многопараметрическая диффузно-динамическая комбинированная дифрактометрия многослойных систем (Часть І. Кривые отражения в геометриях Лауэ и Брэгга)
    В.Б. Молодкин, В.Л. Носик, В.Ф. Мачулин, В.П. Кладько, С.И. Олиховский, А.Ю. Гаевский, Е.Н. Кисловский, Е.Г. Лень, С.В. Лизунова, Е.С. Скакунова, С.В. Дмитриев, В.В. Молодкин // Металлофизика и новейшие технологии. 2010. (submitted)

  10. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении числа КЯ в многослойных структурах InGaN/GaN
    Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Явич Б.C., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Беляев А.Е.  // Физика и техника полупроводников, 2010. (підготовка до друку)

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2010. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"