укр
eng
Дата та місце народження: 28 червня 1983, м.Чернівці
Освіта:
1997-2000 Чернівецький міський фізико-математичний ліцей №1;
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2005- Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Захистив кандидатську дисертацію „Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів у реальних багатошарових структурах”
20.02.2009 р.
Область наукових інтересів: дифракція Х-променів, багатошарові епітаксійні структури, моделювання процесів розсіяння.
Нагороди та премії:
Перша премія за найкращу усну доповідь англійською мовою на міжнародному науковому семінарі «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, Росія, 2006).
Іноземні мови: англійська розмовна, технічна
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 16
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 13
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 53 (h-index = 4)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 85 (h-index = 7)
Список публікацій:
- Investigation of defect structure of InGaNAsSb/GaAs quantum wells
L. Borkovska, N. Korsunska, V. Kladko, T. Kryshtab, V. Kushnirenko, M. Slobodyan, O. Yefanov, Ye. Venger, S. Johnson, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Materials Science and Engineering C 27 (2007) 1038–1042Download: [pdf] - Structural anisotropy of InGaAs/GaAs(001) quantum dot chains structures
V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, O.M. Yefanov, V.F. Machulin, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, and G.J. Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 204, No. 8, 2567–2571 (2007) DOI 10.1002/pssa.200675678 (cited 2 times)Download: [pdf] - Influence of Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Silicon Crystals.
Litovchenko V.G., Lisovs'kyy I.P., Klad'ko V.P., Zlobin S.O., Muravs'ka M.V., Efremov A.A., Slobodyan M.V. // Ukrainian Journal of Physics 2007, Vol.52, N 10, p.958-966Download: [pdf] - Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).
Кладько В.П., Слободян Н.В., Борковская Л.В., Ефанов А.Н. // Металлофизика и новейшие технологии. 2007, Т. 29, №10. С.1323-1332.Download: [pdf] - Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах InхGa1-хAs/ GaAs.
В.П. Кладько, В.В.Стрельчук, Н.В.Слободян, А.Н.Ефанов, В.Ф.Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2007, Т.5, вип.3, C.729-738.Download: [pdf] - Microstructural aspects of nucleation and growth of (In,Ga) As/GaAs(001) islands with low indium content.
Kladko V.P., Strelchuk V.V., Kolomys А.F., Slobodian M.V., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Kunets Vas.P., Salamo G.J. // Journal of Electronic Materials. 2007. V.36, No 12. P.1555-1561. (Cited 5 times)Download: [pdf]
