Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Даценко Леонід Іванович

Народився 29 січня 1933 року в с. Петрівці на Черкащині в родині лікарів. Помер 19 січня 2004 року в м. Києві.

Відомий український фізик-експериментатор, доктор фізико-математичних наук (1978 р.), професор (1985 р.), двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1983 та 1994 рр.).

Заслужений діяч науки і техніки України.

Закінчив Київський Національний університет ім.Т.Шевченка в 1957 р., аспірантуру в Ленінградському фізико-технічному інституті.

Пройшов трудовий і творчий науковий шлях від інженера до головного наукового співробітника (завідувача відділом). Серед його учнів 12 кандидатів та 5 докторів наук.

Засновник київської школи з досліджень динамічного розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами в області аномальної дисперсії. Основні роботи присвячені вивченню процесів розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами та дослідженням їх дефектної структури. Співавтор двох фундаментальних монографій (1988 та 2002 рр.).

Автор більше 250 наукових і науково-популярних праць та 20 свідоцтв на винаходи – винахідник СРСР.


Список публікацій:

  1. Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
    V.P. Klad‘ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Journal of Physics D: Appl. Phys. 2001, V.34, P.A87–A92. (cited 15 times)

    Download: [pdf]

  2. Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds, 2001, V.328, P.218–221. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  3. Effect of Structure Perfection of Polar Crystals on Friedel Intensity Ratio for X-Ray Reflections in the Region of Resonant Frequencies
    Kladko V.P., Datsenko L.I., Manninen S., Galambosi Sz., Molodkin V.B., Machulin V.F. // Металлофизика и новейшие технологии. 2001, V.23, №12. С.1595-1605.

    Download: [pdf]

  4. Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
    L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V.4, No 3, P. 146-151

    Download: [pdf]

  5. Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  6. Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
    Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.

    Download: [pdf]

  7. Дефектна структура бездислокаційного кремнію після імплантації водню та відпалу в умовах гідростатичного стискування.
    Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М., Мачулін В.Ф.  // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №3. С.328-332.

    Download: [pdf]

  8. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V.3, N.3, P.343-348

    Download: [pdf]

  9. Dynamical scattering of X-ray by real binary crystals and problem of point defects.
    Datsenko L.I., Kladko V.P., Machulin V.F., Manninen S., Prokopenko I.V.  // “Theory and computation for synchrotron radiation spectroscopy”, AIP Conf. Proc, 514 (1) 2000, P.153-161.

    Download: [pdf]

  10. Топология маятниковых колебаний интенсивности в кристаллах с планарными дефектами в случае брэгг-дифракции.
    Григорьев Д.О., Даценко Л.И., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Мельник В.М.  // Металлофизика и новейшие технологии. 2000. Т.22, №2. С.58-65.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017