Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Максименко Зоя Василівна
Максименко Зоя Василівна - молодший науковий співробітник
Список публікацій:
  1. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
    V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.

    Download: [pdf]

  2. Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
    V.P. Klad‘ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Journal of Physics D: Appl. Phys. 2001, V.34, P.A87–A92. (cited 15 times)

    Download: [pdf]

  3. Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds, 2001, V.328, P.218–221. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  4. Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
    L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V.4, No 3, P. 146-151

    Download: [pdf]

  5. Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  6. Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
    Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.

    Download: [pdf]

  7. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V.3, N.3, P.343-348

    Download: [pdf]

 
© 2006-2018