Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Даценко Леонід Іванович

Народився 29 січня 1933 року в с. Петрівці на Черкащині в родині лікарів. Помер 19 січня 2004 року в м. Києві.

Відомий український фізик-експериментатор, доктор фізико-математичних наук (1978 р.), професор (1985 р.), двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1983 та 1994 рр.).

Заслужений діяч науки і техніки України.

Закінчив Київський Національний університет ім.Т.Шевченка в 1957 р., аспірантуру в Ленінградському фізико-технічному інституті.

Пройшов трудовий і творчий науковий шлях від інженера до головного наукового співробітника (завідувача відділом). Серед його учнів 12 кандидатів та 5 докторів наук.

Засновник київської школи з досліджень динамічного розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами в області аномальної дисперсії. Основні роботи присвячені вивченню процесів розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами та дослідженням їх дефектної структури. Співавтор двох фундаментальних монографій (1988 та 2002 рр.).

Автор більше 250 наукових і науково-популярних праць та 20 свідоцтв на винаходи – винахідник СРСР.


Список публікацій:

  1. Влияние кулоновских дефектов и нестехиометрии в GaAs на энергетическую зависимость характеристик динамической брэгг-дифракции рентгеновских лучей.
    Кладько В.П., Олиховский С.И., Даценко Л.И.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, Т.22, №6. C.20-27.

    Download: [pdf]

  2. Laue Diffraction of X-rays in GaAs at the Zero Value of the Real Part of the Structure Factor for Quasiforbidden Reflections
    L.I. Datsenko, V.P. Kladko  // Crystallogr. Rep. V.45, 705 (2000). Cited 1 time

    Download: [pdf]

  3. Динамические эффекты при дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в бинарных кристаллах с сильноотличающимися атомными форм-факторами.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Мельник В.М.  // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000, №10, С.3-8.

    Download: [pdf]

  4. Energy-dispersive studies of the integrated reflectivity of Bragg diffracted continuous X-ray spectrum for high sensitive structure diagnostics of imperfect single crystal.
    Grigoriev D.O., Manninen S., Datsenko L.I., Khrupa V.I., Molodkin V.B., Galamboshi S., Kladko V.P., Machulin V.F., // Metal. Phys. and Adv. Technology. 2000, V.22, №5. С.32-40.

    Download: [pdf]

  5. Лауэ-дифракция рентгеновских лучей в GaAs при нулевом значении действительной части структурного фактора для квазизапрещенных отражений.
    Даценко Л.И., Кладько В.П. // Кристаллография, 2000, Т.45, №5, С.775-778. Cited 1 time

  6. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
    L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.

    Download: [pdf]

  7. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
    V.P. Kladko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 157-162.

    Download: [pdf]

  8. Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.

    Download: [pdf]

  9. Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.

    Download: [pdf]

  10. Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф.  // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154.


 
© 2006-2017