Народився 29 січня 1933 року в с. Петрівці на Черкащині в родині
лікарів. Помер 19 січня 2004 року в м. Києві.
Відомий український фізик-експериментатор, доктор фізико-математичних наук (1978 р.), професор (1985 р.), двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1983 та 1994 рр.).
Заслужений діяч науки і техніки України.
Закінчив Київський Національний університет ім.Т.Шевченка в 1957 р., аспірантуру в Ленінградському фізико-технічному
інституті.
Пройшов трудовий і творчий науковий шлях від інженера до головного наукового співробітника (завідувача відділом). Серед його учнів 12 кандидатів та 5 докторів наук.
Засновник київської школи з досліджень динамічного розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами в області аномальної дисперсії. Основні роботи присвячені вивченню процесів розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами та дослідженням їх дефектної структури. Співавтор двох фундаментальних монографій (1988 та 2002 рр.).
Автор більше 250 наукових і науково-популярних праць та 20 свідоцтв на винаходи – винахідник СРСР.
Список публікацій:
- Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.Download: [pdf] - Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.Download: [pdf] - Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154. - Influence of hydrostatic pressure at the temperatures about 1500K on defect structure of Czochralski silicon.
J. Auleytner, L. Datsenko, V. Kladko, V.Machulin, V. Melnyk, I. Prokopenko, J. Bak-Misiuk and A. Misiuk // Journal of Alloys and Compounds, 1999, V.286, Issue 1-2. P.246-249.Download: [pdf] - Structure changes in Cz-Si single crystals irradiated with fast oxygen and neon ions.
Datsenko L., Zymierska D., Auleytner J., Klinger D., Machulin V.F., Kladko V.P., Melnik V., Prokopenko I., Czosinka T., Choinski J. // Acta Physica Polonica, (А). 1999. V.96, N1, P.137-142. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Особливості просторового розподілу дифузного розсіяння рентгенівських променів в структурно–неоднорідних кристалах.
Мачулін В.Ф., Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №10. С.1234-1240.Download: [pdf] - Structure perfection of oxygen-implanted floating zone grown silicon subjected to high pressure treatment.
Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Misiuk A., Kladko V., Bak-Misiuk J., Melnik V., Antonova I.V., Popov V.P. // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.257-264 - Influence of implantation with fast oxygen ions and annealing on structure perfection of silicon crystals grown by Czochralski method.
Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Kladko V., Melnik V., Dotsenko Yu., Czosnika Ju., Choinski J. // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.265-270. - Аналіз нестехіометрії і характеристик мікродефектів при дифракції рентгенівських променів по Бреггу.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Оліховський С.Й., Мачулін В.Ф., Прокопенко І.В. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 1999, Вип.63, С.28-36.Download: [pdf] - Resonant x-ray acoustic determination of the dominant type of the structure distortion in real crystals
L.I. Datsenko, D.O. Grigor'ev, A.V. Briginets, V.F. Machulin, and V.I. Khrupa // Crystallogr. Rep. 1994. 39, P.53