Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Даценко Леонід Іванович

Народився 29 січня 1933 року в с. Петрівці на Черкащині в родині лікарів. Помер 19 січня 2004 року в м. Києві.

Відомий український фізик-експериментатор, доктор фізико-математичних наук (1978 р.), професор (1985 р.), двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1983 та 1994 рр.).

Заслужений діяч науки і техніки України.

Закінчив Київський Національний університет ім.Т.Шевченка в 1957 р., аспірантуру в Ленінградському фізико-технічному інституті.

Пройшов трудовий і творчий науковий шлях від інженера до головного наукового співробітника (завідувача відділом). Серед його учнів 12 кандидатів та 5 докторів наук.

Засновник київської школи з досліджень динамічного розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами в області аномальної дисперсії. Основні роботи присвячені вивченню процесів розсіяння рентгенівських променів реальними кристалами та дослідженням їх дефектної структури. Співавтор двох фундаментальних монографій (1988 та 2002 рр.).

Автор більше 250 наукових і науково-популярних праць та 20 свідоцтв на винаходи – винахідник СРСР.


Список публікацій:

  1. Влияние дополнительных ультразвуковых деформаций на характер амплитудных зависимостей отражающей способности акустически возбужденного кристалла в условиях рентгеноакустического резонанса
    Григорьев Д.О., Даценко Л.И., [machulin]Мачулин В.Ф.[/machulin], Хрупа В.И. // УФЖ, 1993. Т.38. №11, С.1799-1804.

  2. Особенности рассеяния рентгеновских лучей для сверхструктурных отражений вблизи К-краев поглощения компонентов бинарных соединений на примере кристалла InSb.
    Кладько В.П.,, Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И.  // Кристаллография, 1989, Т.34, №.5. С.1083-1087.

    Download: [pdf]

  3. Лауэ-дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений в бинарных монокристаллах.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И.  // Український Фізичний Журнал, 1988, – 19 с.– 6 іл. Бібл. 13 найм. Деп. в ВИНИТИ 1988. №2004-В88.

  4. X-Ray diffraction studies of growth defect in III-V single crystals.
    Datsenko L.I., Kladko V.P., Kryshtab T.G. // In.: “Defects in Crystals”. Proc. of the 8th Inter. School on Defects in Crystals”. 1988. Р.59-67.

  5. Особенности динамического рассеяния рентгеновских лучей в реальных кристаллах при использовании квазизапрещенных отражений (случай Лауэ)
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И. // В кн.: Мат. IV Всес. совещан. по когерентному взаимодействию излучений с веществом. М.:1988. C.44-45.

  6. Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
    Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В.  // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89.

  7. Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-краев поглощения в тонких монокристаллах бинарных полупроводников.
    Даценко Л.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И.  // Кристаллография, 1984, Т.29,№6, С.1066-1070.

    Download: [pdf]

  8. Рентгенодифрактометрические исследования структурного совершенства сильнопоглощающих кристаллов.
    Даценко Л.И., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И.  // Український Фізичний Журнал, 1984, Т.29, №5. С.743-747

    Download: [pdf]

  9. Интегральные характеристики структурного совершенства, определяемые из экспериментов по лауэ-дифракции в тонком кристалле.
    Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Хрупа В.И.  // В сб.: ”Дефекты структуры в полупроводниках” Новосибирск, 1984. C.102-105.

  10. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей и структурное совершенство реальных кристаллов
    Даценко Л.И. // УФЖ, 1979, Т.24, №5. С.577-590.


 
© 2006-2019