Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Поліщук Юля Олегівна
Науковий співробітник відділу №02 Інституту фізики напівпровідників НАН України

Дата та місце народження: 9 грудня 1985 р


Освіта

2004-2009 Бакалавр, Київський національний університет;
2009-2010 Магістр, Київський національний університет;
2010-2013 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2019 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар'єра
2013 - 2020 Молодший науковий співробітник
2020 - Hауковий співробітник

Кандидатська дисертація "Еволюція структури високодисперсних матеріалів ZrO2 та ZnS в процесі синтезу та відпалів" захищена в Спецраді ІФН 23.10.2019 р.

Публікації:

- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 20
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 86 (h-index = 6)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 38 (h-index = 6)


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

  1. Role of paramagnetic defects in light emission processes in Y-doped ZrO2 nanopowders
    N Korsunska, M Baran, A Zhuk, Yu Polishchuk, T Stara, V Kladko, Yu Bacherikov, Ye Venger, T Konstantinova and L Khomenkova // Materials Research Express, 2014, V.1, Number 4, 045011 (12).

    Download: [pdf]

  2. Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига
    Корсунская Н.Е., Бачериков Ю.Ю., Стара Т.Р., Кладько В.П., Баран Н.П., Полищук Ю.О., Кучук А.В., Жук А.Г., Венгер Е.Ф. // Физика и техника полупроводников, 2013, Т.47, вып.5. С.702-709.

    Download: [pdf]

  3. Features of ZnS-Powder Doping with a Mn Impurity during Synthesis and Subsequent Annealing
    N.E. Korsunskaya, Yu.Yu. Bacherikov, T.R. Stara, V.P. Kladko, N.P. Baran, Yu.O. Polischuk, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk, E.F. Venger // Semiconductors, 2013, V.47, N5, P.713-720.

    Download: [pdf]

  4. Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза (Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions)
    Д.В. Гамов, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.Г. Литовченко, В.П. Мельник, О.С. Оберемок, В.Г. Попов, Ю.О. Поліщук, Б.М. Романюк, В.В. Черненко, В.М. Насєка // Український Фізичний Журнал, 2013, 58, N 9. C.881-887.

    Download: [pdf]

  5. Оптичні та структурно-дефектні характеристики нанокристалів CdS:Cu і CdS:Zn, синтезованих в полімерних матрицях
    Д.В. Корбутяк, С.В. Токарев, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, В.П. Кладько, Ю.О. Поліщук, О.М. Шевчук, Г.А. Ільчук, В.С. Токарев // Фізика і хімія твердого тіла, 2013, T.14, N 1, C.222-227.

    Download: [pdf]

  6. Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
    Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.

    Download: [pdf]

  7. XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
    O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2024