Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 74
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 403 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 643 (h-index = 13)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ----- [наступна >>]

  1. Kinetically Controlled Transition from Nanostructured 2D-to-3D Multifaceted InN Nanocrystals on GaN(0001)
    Hryhorii Stanchu, Andrian Kuchuk, Peter Lytvyn, Yuriy Mazur, Morgan E. Ware, Yurii Maidaniuk, Mourad Benamara, Zhiming Wang and Gregory J. Salamo  // CrystEngComm, 2018, V.20, Number 11, P.1499–1508. http://dx.doi.org/10.1039/C7CE02070H

  2. Polarization Effects in Graded AlGaN Nanolayers Revealed by Current-Sensing and Kelvin Probe Microscopy
    Petro M. Lytvyn, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Chen Li, Morgan E. Ware, Zhiming Wang, Vasyl Kladko, Aleksander Belyaev, and Gregory J. Salamo // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, V.10, Issue 7, P.6755-6763.

  3. Strain relaxation in GaN/AlN superlattices on GaN(0001) substrate: combined superlattice-to-substrate lattice misfit and thickness-dependent effects
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Y. Maidaniuk, M. Benamara, Shibin Li, S. Kryvyi, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, Zh.M. Wang and G.J. Salamo // Materials & Design, 2018, V.157, P.141-150.

  4. Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum well with improved carrier confinement
    Perry C Grant, Joe Margetis, Wei Du, Yiyin Zhou, Wei Dou, Grey Abernathy, Andrian Kuchuk, Baohua Li, John Tolle, Jifeng Liu, Greg Sun, Richard A Soref, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Nanotechnology, 2018, V.29, Issue 46, 465201.

  5. Asymmetrical reciprocal space mapping using X-ray diffraction: a technique for structural characterization of GaN/AlN superlattices
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, M. Barchuk, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, Zh.M. Wang, D. Rafaja, G.J. Salamo // CrystEngComm, 2017, V19, Issue 22, P.2977-2982. DOI:10.1039/C7CE00584A

  6. Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics
    Seyed Amir Ghetmiri, Yiyin Zhou, Joe Margetis, Sattar Al-Kabi, Wei Dou, Aboozar Mosleh, Wei Du, Andrian Kuchuk, Jifeng Liu, Greg Sun, Richard A Soref, John Tolle, Hameed A Naseem, Baohua Li, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Optics Letters, 2017, V.42, Issue 3, P.387-390.

  7. Optical and structural study of deformation states in the GaN/AlN superlattices
    Oleksandr Kolomys, Bogdan Tsykaniuk, Viktor Strelchuk, Andrey Naumov, Vasyl Kladko, Yuriy I. Mazur, Morgan E. Ware, Shibin Li, Andrian Kuchuk, Yurii Maidaniuk, Mourad Benamara, Alexander Belyaev, and Gregory J. Salamo // Journal of Applied Physics, 2017, V.122, Issue 15, 155302.

  8. Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template
    Serhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2017, V.35, Issue 6, 062902.

  9. Effect of strain-polarization fields on optical transitions in AlGaN/GaN multi-quantum well structures
    V. Kladko, A. Kuchuk, А. Naumov, N. Safriuk, O. Kolomys, S. Kryvyi, H. Stanchu, A. Belyaev, V. Strelchuk, B. Yavich, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016, V.76, P.140–145.

    Download: [pdf]

  10. Физико-технологические проблемы нитрид-галлиевой электроники
    Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. // Монографія, Київ, „Наукова думка” 2016, 260 с.

[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2018