Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Слободян Микола Васильович
Слободян Микола - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник

Дата та місце народження: 28 червня 1983, м.ЧернівціМикола Слободян


Освіта:
1997-2000 Чернівецький міський фізико-математичний ліцей №1;
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2005-     Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Захистив кандидатську дисертацію „Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів у реальних багатошарових структурах

20.02.2009 р.


Область наукових інтересів: дифракція Х-променів, багатошарові епітаксійні структури, моделювання процесів розсіяння.


Нагороди та премії:
Перша премія за найкращу усну доповідь англійською мовою на міжнародному науковому семінарі «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, Росія, 2006).

Іноземні мови: англійська розмовна, технічна 

Екпериментальна робота: високороздільний Х-променевий дифрактометр PANalytical X’Pert Pro MRD XL


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

  1. Исследование плазмонных плёночных наноструктур золота методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии
    А.И. Гудыменко, С.Б. Кривой, Г.В. Станчу, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк, Н.В. Слободян // Металлофизика и новейшие технологии , 2015, T.37, № 9, C.1215—1223

    Download: [pdf]

  2. Investigation of Plasmon Gold Film Nanostructures by Means of both X-Ray Reflectometry and Diffractometry
    O.Y. Gudymenko, S.B. Kryvyi, H.V. Stanchu, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, M.V. Slobodian // Metallofizika i noveĭshie tekhnologii, 2015, V.37, Issue 9, P.1215-1223.

    Download: [pdf]

  3. Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
    В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.

    Download: [pdf]

  4. Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
    A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin  // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 4 times)

    Download: [pdf]

  5. Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
    Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.

    Download: [pdf]

  6. Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
    Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н.  // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.

    Download: [pdf]

  7. Peculiarities of Nucleation and Ordering of GeSi Nanoislands in Multilayer Structures Formed on Si and Si1xGex Buffer Layers
    V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov // Ukrainian Journal of Physics, 2011. V.56, No.3. P.254-262.

    Download: [pdf]

  8. Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
    І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.

    Download: [pdf]

  9. Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
    Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A.  // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 29 times)

    Download: [pdf]

  10. Three-dimensional ordering in self‐organized (In,Ga)As quantum dot multilayer structures
    V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593 (Cited 6 times)

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2017