Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Слободян Микола Васильович
Слободян Микола - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник

Дата та місце народження: 28 червня 1983, м.ЧернівціМикола Слободян


Освіта:
1997-2000 Чернівецький міський фізико-математичний ліцей №1;
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2005-     Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Захистив дисертацію „Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів у реальних багатошарових структурах

20.02.2009 р.


Область наукових інтересів: дифракція Х-променів, багатошарові епітаксійні структури, моделювання процесів розсіяння.


Нагороди та премії:
Перша премія за найкращу усну доповідь англійською мовою на міжнародному науковому семінарі «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, Росія, 2006).

Іноземні мови: англійська розмовна, технічна 

Екпериментальна робота: високороздільний Х-променевий дифрактометр PANalytical X’Pert Pro MRD XL


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

  1. Lateral ordering of self-organized SiGe nanoislands grown on Si1-xGex sublayers
    Валах M.Я., Кладько В.П., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Гудыменко А.И., Слободян М.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А. // Journal of Applied Physics. 2010. Т.109. (подготовка)

  2. Методичні аспекти рентгенодифрактометричного контролю складу шарів багатокомпонентних сполук
    Слободян М.В., Гудименко О.Й., Кладько В.П. // Український фізичний журнал, 2010.

  3. Оптичні та структурні властивості багатошарових структур з GeSi наноострівцями
    V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, V.P. Kladko, A.V. Novikov, O.Yo. Gudymenko, M.V. Slobodian // УФЖ, 2010

  4. Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
    І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, Z. Swiatek // SPQO, 2010

  5. Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si subjected to rapid thermal annealing
    Andrey Sarikov, Maria Vitovich, Sergey Zlobin, Igor Lisovskyy, Vladimir Litovchenko, Mikola Slobodian, Vasyl Kladko, and Vladimir Machulin  // APL

  6. Influence of small miscut of substrate and buffer layer Si1-xGex on grown SiGe lateral ordering nanoislands
    Kladko V.P., Slobodian M.V., Gudymenko O.Yo., Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V.  // Applied Physics Letter

  7. Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
    Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A.  // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 6 times)

    Download: [pdf]

  8. Self-organized three-dimensional spatial ordering of quantum dot arrays in InGaAs/GaAs
    V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593

    Download: [pdf]

  9. Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
    В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222.

    Download: [pdf]

  10. Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів
    В.П. Кладько, М.В. Слободян, В.Ф. Мачулін // Український фізичний журнал, 2008, T.53. №2. C.167-171.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2010. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"