Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Любченко Олексій Ігорович
Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №02 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 16 листопада 1991, Київська область

Освіта:
2009-2013 Бакалавр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2013-2015 Магістр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2015-2018 Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2019 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2015- 2018 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2018- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні" захищена на Спецраді ІФН 18.09.2019 р. 

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 10
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 5
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 6 (h-index = 2)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 7 (h-index = 2)


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Modification of elastic deformations and analysis of structural and optical changes in Ar+-implanted AlN/GaN superlattices
    Oleksii Liubchenko, Tomash Sabov, Vasyl Kladko, Viktor Melnik, Volodymyr Yukhymchuk, Borys Romanyuk, Oleksandr Kolomys, Oleksandr Hreshchuk, Oleksandr Dubikovskyi, Zoia Maksimenko, Oleksandr Gudymenko, Alexander Belyaev // Applied Nanoscience, 2020, V.10, Issue 8, P.2479–2487. https://doi.org/10.1007/s13204-019-01000-w

  2. The elemental composition mixing in a Mo/Si multilayer structure under overheating
    O. Oberemok, T. Sabov, O. Dubikovskyi, O. Kosulya, V. Melnik, B. Romanyuk, V. Popov, O. Liubchenko, V. Kladko, E. Zubarev, Y. Pershyn // Materials Today: Proceedings, 2020, V.19, in press, https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.11.018

    Download: [pdf]

  3. Formation and Transient Photovoltaic Properties of ZnO/Si Isotype Hetero-junctions by Magnetron Sputtering
    V. Melnik, B. Romanyuk, V. Kladko, V. Popov, O. Gudymenko, O. Liubchenko, T. Sabov, O. Oberemok, O. Dubikovskyi, JU. Gomeniuk, O. Kosulya, V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov // Nanomaterials and Nanocomposites, Nanostructure Surfaces, and Their Applications, 2020, Springer Proceedings in Physics, V.246, O.Fesenko and L.Yatsenko (eds.) https://doi.org/10.1007/978-3-030-51905-6_24

  4. X-ray analysis for micro-structure of AlN/GaN multiple quantum well systems
    Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, V.30, Issue 1, P.499-507.

  5. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au-Ti-Pd-n+-n-Si
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк-Романенко, A.И. Любченко, В.М. Шеремет, В.В. Шинкаренко, А.С. Слепова, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.С. Пилипчук, Р.В. Конакова, А.В. Саченко // Физика и техника полупроводников, 2019, V.53, вып.4, С.485-492.

    Download: [pdf]

  6. Features of the Temperature Dependence of the Specific Contact Resistance of Au–Ti–Pd–n+–n-Si Diffusion Silicon Structures
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.P. Kladko, N.V. Safryuk-Romanenko, A.I. Lubchenko, V.N. Sheremet, V.V. Shynkarenko, A.S. Slepova, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, A.S. Pilipchuk, R.V. Konakova, A.V. Sachenko // Semiconductors, 2019, V.53, No4, P.469-476.

    Download: [pdf]

  7. The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.

    Download: [pdf]

  8. Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні
    Любченко О.І. // Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико- математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 “Фізика твердого тіла”. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2019.

    Download: [pdf]

  9. Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data.
    M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2019, V.22, Issue 4, P.381-386.

    Download: [pdf]

  10. High-resolution X-ray diffractometry of single crystals near-surface layers and multilayered structures under ion irradiation
    Liubchenko O.I. // The Ph.D thesis for a scientific degree of the candidate of science (Doctor of Philosophy) on physics and mathematics, field 01.04.07 –“solid state physics”. V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, 2019.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2020