Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Любченко Олексій Ігорович
Аспірант відділу №01 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 16 листопада 1991, Київська область

Освіта:
2009-2013 Бакалавр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2013-2015 Магістр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2015-2018 Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2015- 2018 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2018- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 5
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 2
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1 (h-index = 1)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 3 (h-index = 1)


Список публікацій:
  1. X-ray analysis for micro-structure of AlN/GaN multiple quantum well systems
    Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, V.30, Issue 1, P.499-507.

  2. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au−Ti−Pd−n+−n-Si
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк, A.И. Любченко, В.М. Шеремет, В.В. Шинкаренко, А.С. Слепова, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.С. Пилипчук, Р.В. Конакова, А.В. Саченко // Физика и техника полупроводников, 2019, T.53, выпуск 4, С.485-492.

    Download: [pdf]

  3. Modification of elastic deformations and analysis of structural and optical changes in Ar+-implanted AlN/GaN superlattices
    Oleksii Liubchenko, Tomash Sabov, Vasyl Kladko, Viktor Melnik, Volodymyr Yukhymchuk, Borys Romanyuk, Oleksandr Kolomys, Oleksandr Hreshchuk, Oleksandr Dubikovskyi, Zoia Maksimenko, Oleksandr Gudymenko, Alexander Belyaev // Applied Nanoscience, 2019, V.9, https://doi.org/10.1007/s13204-019-01000-w

  4. Simulation of X-Ray DiffractionSpectra forAlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2018, V.40, Issue 6, P.759–776.

    Download: [pdf]

  5. Modelling of X-Ray Rocking Curve for Layers after Two-Stage Ion-Implantation.
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2017. V.20, No 3. P.355-361.

    Download: [pdf]

  6. Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора.
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, О.И. Любченко, А.В. Саченко, Н.В. Сафрюк, В.В. Шинкаренко, В.А. Солодуха, В.А. Пилипенко, А.А. Ходин, П.Н. Романец, Я.Я. Кудрик  // 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», , Секция 6. Современное оборудование и технологии. 2017 г., Минск: Изд. центр БГУ. С.428-430.

    Download: [pdf]

  7. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію.
    Ю.В. Голтвянский, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2017, Вып.52, С.141-150.

    Download: [pdf]

 
© 2006-2019