Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Наукова дiяльнiсть
  • Когерентна взаємодiя випромiнювання рентгенiвського дiапазону довжин хвиль з реальними кристалами та багатошаровими епiтаксiйними структурами з метою з'ясування фундаментальних фiзичних принципiв перетворення випромiнювання в умовах динамiчної дифракцiї. Моделювання процесiв динамiчної дифракцiї в багатошарових структурах.
  • Фiзика процесiв дефектоутворення, структурної релаксацiї та мiжфазних взаємодiй в напiвпровiдникових матерiалах i системах.
  • Фiзичнi основи рентгено-дифрактометричного визначення параметрiв реальної структури багатошарових епiтаксiйних плiвок.
  • Аномальна Х-променева дифракцiя в напiвпровiдникових наноструктурах в областi К-країв поглинання.
  • Поверхня, приповерхневi шари, границi подiлу i тонкi плiвки. Вивчення структури i властивостей.
  • Розвиток неруйнiвних методик контролю структурної досконалостi та елементного аналiзу кристалiв, епiтаксiйних систем та приладних структур.

Основні наукові результати за 2017 рік

1.    Досліджено вплив зміни відношення товщин між ямою і бар'єром на механізм росту та деформаційну релаксацію 20-періодних GaN/AlN-надграток (НГ) на GaN(0001)-сапфір темплейті. Встановлено, що механізм росту GaN/AlN НГ змінюється із збільшенням співвідношення товщин шарів яма/бар'єр від стовпчастого до плоского двомірного пошарового росту.
2.    Показано, що релаксація плівок, зростає зі збільшенням кількості періодів. Встановлено перехід до іншого механізму релаксації при перевищенні деякої критичної товщини. Цей перехід супроводжується зменшенням кількості дислокацій та початком розтріс-кування структури. Для структур з різним співвідношенням товщин бар'єр/яма показано перехід від 2D покрокового до 3D стовпчастого росту із збільшенням невідповідності латеральних параметрів граток буферного шару та епітаксійної структури.
3.    З’ясовані особливості впливу анізотропії п’єзополяризаційних властивостей кристалічних тринітридних структур на їх локальні електрофізичні характеристики, показана їх кореляція із структурними характеристиками, отриманими методами дифракції Х-променів. Показано чіткий взаємозв’язок величини локальних градієнтів деформацій із величиною вбудованих електричних полів в структурах AlGaN. Проведені оцінки особливостей розподілу поверхневого потенціалу в перерізах
зазначених структур.

2. У вiддiлi пiд керiвництвом чл.-кореспондента НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька у 2017 р. захищена дисертацiя кандидата фiз.-мат.наук - аспірантом Кривим С.Б.
  

 
© 2006-2018