Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Сафрюк Надія Володимирівна
Сафрюк Надія - кандидат фiзико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 червня 1983, Чернівецька область


Освіта

2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2011- 2013 - молодший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2013-2015 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України  
2015- до тепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Кандидатська дисертація "Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру" захищена на Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 30 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 12
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 33 (h-index = 3)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 74 (h-index = 5)
- Патенти: 1

Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 ----- [наступна >>]

  1. Спосіб виготовлення фото-діодів на антимоніді індію
    Кладько В.П., Голтвянський Ю.В., Романюк А.Б., Мельник В.П., Оберемок О.С., Федулов В.В., Сабов Т.М., Сафрюк Н.В.  // Патент України на корисну модель №115174, (10.04.2017).

  2. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
    T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.

    Download: [pdf]

  3. Effect of strain-polarization fields on optical transitions in AlGaN/GaN multi-quantum well structures
    V. Kladko, A. Kuchuk, А. Naumov, N. Safriuk, O. Kolomys, S. Kryvyi, H. Stanchu, A. Belyaev, V. Strelchuk, B. Yavich, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016, V.76, P.140–145.

    Download: [pdf]

  4. Structural and optical study of strain relaxation in Ge1-xSnx layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy
    A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, N.V. Safriuk, S.B. Kryvyi, V.P. Kladko, O.S. Oberemok, L.V. Borkovska, Yu.G. Sadofyev. // Thin Solid Films, 2016, V.613, P.68-74.

    Download: [pdf]

  5. The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
    Andrian V. Kuchuk, Serhii Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Shibin Li, Vasyl Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Nadiia Safryuk, Hryhorii Stanchu, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V11, 252

    Download: [pdf]

  6. Спосіб нанесення контактів до InN.
    Шеремет В.М., Виноградов А.О., Сай П.О., Саченко А.В., Болтовець М.С., Сафрюк Н.В., Шинкаренко В.В., Бєляєв О.Є., Кладько В.П., Конакова Р.В.  // Патент України на корисну модель №108190, (11.07.2016).

  7. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
    А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, П.Н. Брунков, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Р.В. Романец, П.О. Сай, Н.В. Сафрюк, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып.4, C.472-482.

    Download: [pdf]

  8. High-resolution X-ray diffraction analysis of strain distribution in GaN nanowires on Si(111) substrate
    Hryhorii Stanchu, Vasyl Kladko, Andrian V Kuchuk, Nadiia Safriuk, Alexander Belyaev, Aleksandra Wierzbicka, Marta Sobanska, Kamil Klosek and Zbigniew R Zytkiewicz // Nanoscale Research Letters, 2015, V.10: 51

    Download: [pdf]

  9. Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to n +-InN
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, P.N. Brunkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, P.N. Romanets, P.O. Saja, N.V. Safryuk, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2015, V.49, Issue 4, P.461-471

    Download: [pdf]

  10. Structural Analysis of n-InN Heteroepitaxial Films and their Ohmic Contacts
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Brunkov P.N., Gudymenko A.I., Jmerik V.N., Ivanov S.V., Kladko V.P., Konakova R.V., Saj P.O., Safriuk N.V., Shynkarenko V.V. // 25th Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2015), 6—12 September, 2015, Sevastopol, Crimea; P.602-604.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 4 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2017