Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Любченко Олексій Ігорович
Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №02 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 16 листопада 1991, Київська область

Освіта:
2009-2013 Бакалавр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2013-2015 Магістр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2015-2018 Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2019 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2015- 2018 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2018- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні" захищена на Спецраді ІФН 18.09.2019 р. 

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 10
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 8
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 13 (h-index = 3)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 20 (h-index = 3)


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.

    Download: [pdf]

  2. Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні
    Любченко О.І. // Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико- математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 “Фізика твердого тіла”. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2019.

    Download: [pdf]

  3. Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data.
    M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2019, V.22, Issue 4, P.381-386.

    Download: [pdf]

  4. High-resolution X-ray diffractometry of single crystals near-surface layers and multilayered structures under ion irradiation
    Liubchenko O.I. // The Ph.D thesis for a scientific degree of the candidate of science (Doctor of Philosophy) on physics and mathematics, field 01.04.07 –“solid state physics”. V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, 2019.

    Download: [pdf]

  5. Simulation of X-Ray DiffractionSpectra forAlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2018, V.40, Issue 6, P.759–776.

    Download: [pdf]

  6. Modeling of X-Ray Rocking Curve for Layers after Two-Stage Ion-Implantation.
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2017. V.20, No 3. P.355-361.

    Download: [pdf]

  7. Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора.
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, О.И. Любченко, А.В. Саченко, Н.В. Сафрюк, В.В. Шинкаренко, В.А. Солодуха, В.А. Пилипенко, А.А. Ходин, П.Н. Романец, Я.Я. Кудрик  // 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», , Секция 6. Современное оборудование и технологии. 2017 г., Минск: Изд. центр БГУ. С.428-430.

    Download: [pdf]

  8. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію.
    Ю.В. Голтвянский, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2017, Вып.52, С.141-150.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2022