Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №02 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 16 листопада 1991, Київська область

2013-2015 Магістр, Київський Політехнічний Університет "КПІ";
2015-2018 Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2015- 2018 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 10
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 8
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 13 (h-index = 3)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 20 (h-index = 3)


Список публікацій:

11. The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.
    
    
    Download: [pdf]

---

12. Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні
    Любченко О.І. // Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико- математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 “Фізика твердого тіла”. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2019.
    
    
    Download: [pdf]

---

13. Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data.
    M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2019, V.22, Issue 4, P.381-386.
    
    
    Download: [pdf]

---

14. High-resolution X-ray diffractometry of single crystals near-surface layers and multilayered structures under ion irradiation
    Liubchenko O.I. // The Ph.D thesis for a scientific degree of the candidate of science (Doctor of Philosophy) on physics and mathematics, field 01.04.07 –“solid state physics”. V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, 2019.
    
    
    Download: [pdf]

---

15. Simulation of X-Ray DiffractionSpectra forAlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2018, V.40, Issue 6, P.759–776.
    
    
    Download: [pdf]

---

16. Modeling of X-Ray Rocking Curve for Layers after Two-Stage Ion-Implantation.
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2017. V.20, No 3. P.355-361.
    
    
    Download: [pdf]

---

17. Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора.
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, О.И. Любченко, А.В. Саченко, Н.В. Сафрюк, В.В. Шинкаренко, В.А. Солодуха, В.А. Пилипенко, А.А. Ходин, П.Н. Романец, Я.Я. Кудрик  // 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», , Секция 6. Современное оборудование и технологии. 2017 г., Минск: Изд. центр БГУ. С.428-430.
    
    
    Download: [pdf]

---

18. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію.
    Ю.В. Голтвянский, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2017, Вып.52, С.141-150.
    
    
    Download: [pdf]

---