Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Сафрюк Надія Володимирівна
Сафрюк Надія - кандидат фiзико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 червня 1983, Чернівецька область


Освіта

2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2011- 2013 - молодший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2013-2015 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України  
2015- до тепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Кандидатська дисертація "Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру" захищена на Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 34 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 17
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 62 (h-index = 5)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 101 (h-index = 7)
- Патенти: 1

Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 ----- [наступна >>]

  1. Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  2. X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
    Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  3. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е.  // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  4. X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
    V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin, and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Volume 44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  5. Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 18 times)

    Download: [pdf]

  6. Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
    Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)

    Download: [pdf]

  7. Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, and S.A. Vitusevich // Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology (August 3), 2009 Vol.20, Issue 5.

[<< попередня] ----- 1 2 3 4 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2018