Кандидат фiзико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 червня 1983, Чернівецька область

Освіта
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2011- 2013 - молодший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Список публікацій:

31. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
    N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.
    
    
    Download: [pdf]

---

32. Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, O.M. Yefanov, N.V. Safriuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo  // Nanoscale Research Letters 2012, 7: 289. (cited 20 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

33. Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 5 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

34. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
    Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю.  // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

35. Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760. (cited 2 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

36. X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
    Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

37. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
    Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е.  // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 6 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

38. X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
    V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin, and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Volume 44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 6 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

39. Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 18 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

40. Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
    Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)
    
    
    Download: [pdf]

---