Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Сафрюк Надія Володимирівна
Сафрюк Надія - кандидат фiзико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 червня 1983, Чернівецька область


Освіта

2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2011- 2013 - молодший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2013-2015 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України  
2015- до тепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Кандидатська дисертація "Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру" захищена на Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 34 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 15
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 55 (h-index = 5)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 101 (h-index = 7)
- Патенти: 1

Список публікацій:

  1. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
    V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.

    Download: [pdf]

  2. Эффект структурирования гетероэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра
    Ф.Ф. Сизов, P.K. Савкина, А.Б. Смирнов, P.C. Удовицкая, В.П. Кладько, А.Й. Гудименко, H.B. Сафрюк, O.C. Литвин // Физика твердого тела, 2014, T. 56, вып.11, C.2091-2096.

    Download: [pdf]

  3. Structuring effect of heteroepitaxial CdHgTe/CdZnTe systems under irradiation with silver ions
    F.F. Sizov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov, R.S. Udovytska, V.P. Kladko, A.I. Gudymenko, N.V. Safryuk, O.S. Lytvyn // Physics of the Solid State, 2014, Vol.56, Issue 11, pp.2160-2165.

    Download: [pdf]

  4. Залежність магнітної доменної структури гранатових сполук від структурних параметрів
    І.М. Фодчук, В.В. Довганюк, І.І. Гуцуляк, А.О. Коцюбинський, П.М. Литвин, Н.В. Сафрюк, В.П. Кладько, І.М. Сиворотка, О.Ю. Бончик, М.С. Солодкий // Науковий вісник Чернівецького університету. 2014. Том 3, випуск 2. Фізика.Електроніка. C.39-45.

    Download: [pdf]

  5. Хіміко-механічне полірування монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe в травильних композиціях H2O2–HBr–етиленгліколь
    Маланич Г.П., Томашик З.Ф., Томашик В.М., Стратійчук І.Б., Сафрюк Н.В., Кладько В.П. // Науковий вісник ЧНУ. Хімія, 2013, вип.640. С.72-78.

    Download: [pdf]

  6. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
    N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.

    Download: [pdf]

  7. Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, O.M. Yefanov, N.V. Safriuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo  // Nanoscale Research Letters 2012, 7: 289. (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  8. Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  9. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
    Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю.  // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)

    Download: [pdf]

  10. Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760. (cited 2 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018