Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Станчу Григорій Вікторович

Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №01 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 14 червня 1987, Чернівецька область

Освіта

2007-2011 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2011-2012 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2012-2015 Аспірант Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Наукові ступені та звання: 
2016 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра: 
2015- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN і градієнтних AlGaN плівок та нанодротів" захищена на Спецраді ІФН 07.09.2016 р. 

 Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 25
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 23
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 111 (h-index = 6)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 197 (h-index = 8)


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

  1. Investigation of the Structural and Optical Properties of Compositionally V-Graded Strained InxGa1-xN Layers
    Pijush K Ghosh, Hryhorii Stanchu, Yurii Maidaniuk, Mirsaeid Sarollahi, Manal Aldawsari, Andrian Kuchuk, Yuriy Mazur, Gregory J Salamo, Morgan E Ware // Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics, 2020, In press

  2. Compositionally Graded AlGaN Nanostructures: the Strain Distribution and X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping
    H Stanchu, M Auf der Maur, AV Kuchuk, Yu I Mazur, M Sobanska, ZR Zytkiewicz, S Wu, Z Wang, G Salamo // Crystal Growth & Design, 2020, V.

  3. The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.

    Download: [pdf]

  4. Kinetically Controlled Transition from Nanostructured 2D-to-3D Multifaceted InN Nanocrystals on GaN(0001)
    Hryhorii Stanchu, Andrian Kuchuk, Peter Lytvyn, Yuriy Mazur, Morgan E. Ware, Yurii Maidaniuk, Mourad Benamara, Zhiming Wang and Gregory J. Salamo  // CrystEngComm, 2018, V.20, Number 11, P.1499–1508. http://dx.doi.org/10.1039/C7CE02070H

  5. Strain relaxation in GaN/AlN superlattices on GaN(0001) substrate: combined superlattice-to-substrate lattice misfit and thickness-dependent effects
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Y. Maidaniuk, M. Benamara, Shibin Li, S. Kryvyi, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, Zh.M. Wang and G.J. Salamo // Materials & Design, 2018, V.157, P.141-150.

  6. Asymmetrical reciprocal space mapping using X-ray diffraction: a technique for structural characterization of GaN/AlN superlattices
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, M. Barchuk, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, Zh.M. Wang, D. Rafaja, G.J. Salamo // CrystEngComm, 2017, V19, Issue 22, P.2977-2982. DOI:10.1039/C7CE00584A

  7. Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template
    Serhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2017, V.35, Issue 6, 062902.

  8. The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
    Andrian V. Kuchuk / Serhii Kryvyi / Petro M. Lytvyn / Shibin Li / Vasyl P. Kladko / Morgan E. Ware / Yuriy I. Mazur / Nadiia V. Safryuk / Hryhorii V. Stanchu / Alexander E. Belyaev / Gregory J. Salamo // nano Online, Physics, Chemistry and Materials Science at the Nanoscale, 2016, DOI: https://doi.org/10.1515/nano.s11671-016-1478-6

  9. Effect of strain-polarization fields on optical transitions in AlGaN/GaN multi-quantum well structures
    V. Kladko, A. Kuchuk, А. Naumov, N. Safriuk, O. Kolomys, S. Kryvyi, H. Stanchu, A. Belyaev, V. Strelchuk, B. Yavich, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016, V.76, P.140–145.

    Download: [pdf]

  10. X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded AlxGa1−xN Films and Nanowires
    Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Zbigniew R. Zytkiewicz, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V.11, 81.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2024