Кандидат фiзико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 червня 1983, Чернівецька область

Освіта
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2011- 2013 - молодший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Список публікацій:

1. Atomic force microscopy and Raman spectroscopy of Pb1−xSnxTe surfaces polished after treatment with H2O2–HBr–ethylene glycol etchants
   G.P. Malanych, O.F. Kolomys, A.A. Korchovyi, N.V. Safriuk, V.M. Tomashyk // Applied Nanoscience, 2020, V.10, Issue 8, P.2717-2722. https://doi.org/10.1007/s13204-019-00974-x

---

2. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au-Ti-Pd-n+-n-Si
   А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк-Романенко, A.И. Любченко, В.М. Шеремет, В.В. Шинкаренко, А.С. Слепова, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.С. Пилипчук, Р.В. Конакова, А.В. Саченко // Физика и техника полупроводников, 2019, V.53, вып.4, С.485-492.
   
   
   Download: [pdf]

---

3. Features of the Temperature Dependence of the Specific Contact Resistance of Au–Ti–Pd–n+–n-Si Diffusion Silicon Structures
   A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.P. Kladko, N.V. Safryuk-Romanenko, A.I. Lubchenko, V.N. Sheremet, V.V. Shynkarenko, A.S. Slepova, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, A.S. Pilipchuk, R.V. Konakova, A.V. Sachenko // Semiconductors, 2019, V.53, No4, P.469-476.
   
   
   Download: [pdf]

---

4. Спосіб виготовлення фото-діодів на антимоніді індію
   Кладько В.П., Голтвянський Ю.В., Романюк А.Б., Мельник В.П., Оберемок О.С., Федулов В.В., Сабов Т.М., Сафрюк Н.В.  // Патент України на корисну модель №115174, (10.04.2017).

---

5. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
   T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.
   
   
   Download: [pdf]

---

6. Synthesis, Luminescent and Structural Properties of the Cd1 – xCuxS and Cd1 – xZnxS Nanocrystals
   D.V. Korbutyak, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, O.Y. Gudymenko, S.I. Budzulyak, V.M. Ermakov, O.P. Lotsko, V.S. Tokarev, H.A. Ilchuk, O.M. Shevchuk, R.Y. Petrus, N.M. Bukartyk, S.V. Tokarev, L.V. Dolynska // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, V.9, №5, 05024(6).
   
   
   Download: [pdf]

---

7. Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
   V. Lytovchenko, T. Gorbanyuk, V. Kladko, A. Sarikov, N. Safriuk, L. Fedorenko, Steponas Asmontas, Jonas Gradauskas, Edmundas Sirmulis and Ovidijus Zalys // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2017, V.20, Issue 4, P.385-395.
   
   
   Download: [pdf]

---

8. Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора.
   А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, О.И. Любченко, А.В. Саченко, Н.В. Сафрюк, В.В. Шинкаренко, В.А. Солодуха, В.А. Пилипенко, А.А. Ходин, П.Н. Романец, Я.Я. Кудрик  // 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», , Секция 6. Современное оборудование и технологии. 2017 г., Минск: Изд. центр БГУ. С.428-430.
   
   
   Download: [pdf]

---

9. Дослідження «придислокаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла
   Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, Н.В. Сафрюк, М.І. Ілащук, О.Я. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2017, Вып.52, С.108-122.
   
   
   Download: [pdf]

---

10. The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
    Andrian V. Kuchuk / Serhii Kryvyi / Petro M. Lytvyn / Shibin Li / Vasyl P. Kladko / Morgan E. Ware / Yuriy I. Mazur / Nadiia V. Safryuk / Hryhorii V. Stanchu / Alexander E. Belyaev / Gregory J. Salamo // nano Online, Physics, Chemistry and Materials Science at the Nanoscale, 2016, DOI: https://doi.org/10.1515/nano.s11671-016-1478-6

---