укр
eng
Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.
Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
Наукові ступені та звання:
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2001-2003 - інженер
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-2019 - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2019-дотепер - старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 110
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 73
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 233 (h-index = 7)
- Патенти: 3
Список публікацій:
- Photoluminescence and Structural Properties of CdSe Quantum Dot-Polymer Composite Films
T. Kryshtab L. Borkovska, N. Korsunska, T. Stara, V. Bondarenko, O. Gudymenko, O. Stroyuk, O. Raevska // Materials Research Soc. Symp. Proceeding, 2013, V.1617. - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
В.В. Стрельчук, A.С. Николенко, П.M. Литвин, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, М.Я. Валах, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков // Физика и техника полупроводников, 2012. Т.46, в.5, С.665-672. (cited 1 times)Download: [pdf] - Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001). (Morphology and Optical Properties of Tetragonal Ge Nanoclusters Grown on Chemically Oxidized Si(100) Surfaces)
Лисенко В.С., Кондратенко С.В., Козирев Ю.М., Рубежанська М.Ю., Кладько В.П., Гоменюк Ю.В., Гудименко О.Й., Мельничук Є.Є., Грене Ж., Бланшар Н.Б. // Український фізичний журнал (Ukr. J. Phys.), 2012, Vol.57, Nо11, p.1132-1140.Download: [pdf] - Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si1 − xGex buffer layers
V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, V.P. Kladko and A.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh, Z.F. Krasilnik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov // Semiconductors, 2012, V.46. No5 P.647-654. DOI:10.1134/S1063782612050211 (cited 1 times)Download: [pdf] - Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si
O.S. Oberemok, V.G. Lytovchenko, V.P. Melnyuk, O.Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and properties, 2012, Vol.1 No 3, 03PCSI13(2pp)Download: [pdf] - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf] - Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layer
Oberemok O., Litovchenko V., Gamov D., Popov V., Melnik V., Gudymenko O., Nikirin V., Khatsevich І. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, N3, P.269-273.Download: [pdf] - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н. // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.Download: [pdf] - Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію методом магнетронного розпилення
Романюк Б.М., Мельник В.П., Хацевич І.М., Голтвянський Ю.В., Нікірін В.А., Попов В.Г., Гудименко О.Й., Оберемок О.С. // Патент України на корисну модель №62706. Бюл. №17 12.09.2011.
