укр
eng
Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.
Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
Наукові ступені та звання:
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2001-2003 - інженер
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-2019 - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2019-дотепер - старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 110
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 73
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 233 (h-index = 7)
- Патенти: 3
Список публікацій:
- Peculiarities of Nucleation and Ordering of GeSi Nanoislands in Multilayer Structures Formed on Si and Si1xGex Buffer Layers
V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov // Ukrainian Journal of Physics, 2011. V.56, No.3. P.254-262.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf] - Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145. cited 2 timesDownload: [pdf] - Peculiarities of the Defect Formation in the Near-surface Layers of Si Single Crystals under Acoustostimulated Implantation of Ions of Boron and Arsenic
O.I. Gudymenko, V.P. Kladko, V.P. Melnik, Ya.M. Olikh, V.G. Popov, B.N. Romanyuk, M.V. Slobodian, P.P. Kogutyuk // Ukrainian Journal of Physics, 2008, V.53, Issue 2, P.140-145.Download: [pdf] - Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448Download: [pdf] - Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)Download: [pdf] - Effect of growth temperature on the luminescent and structural properties of InGaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3 mkm telecom application
L. Borkovska, O. Yefanov, O. Gudymenko, S. Johnson, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Thin Solid Films, (2006). 515, P.786 – 789. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Study of strain relaxation in CdSe/ZnSe nanostructures
L. Borkovska, R. Beyer, O. Gudymenko, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Ye. Venger // Journal of Crystal Growth, 2005, 275, Issues 1-2. e2281-e2287. (cited 2 times)Download: [pdf] - Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
B. Romanjuk, V. Kladko, V. Melnik, V. Popov, V. Yukhymchuk, A. Gudymenko, Ya. Olikh, G. Weidner, D. Kruger // Materials Science in Semiconductor Processing V.8 (2005) 171–175. (cited 5 times)Download: [pdf] - Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, O.F. Kolomys, O.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh, Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, and G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 1. P. 36-45. (Cited 7 times)Download: [pdf]
