Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Гудименко Олександр Йосипович

Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник

Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.

Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
 
Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2001-2003 - інженер 
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-дотепер - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова

Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 56 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 29
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 71 (h-index = 5)
- Патенти: 3

 

 


Список публікацій:

  1. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію.
    Ю.В. Голтвянский, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2017, Вып.52, С.77-89.

  2. Silicon Substrate Strained and Structured via Cavitation Effect for Photovoltaic and Biomedical Application
    Rada K. Savkina, Aleksandr I. Gudymenko, Vasyl P. Kladko, Andrii A. Korchovyi, Andrii S. Nikolenko, Aleksey B. Smirnov, Tatyana R. Stara and Viktor V. Strelchuk // Nanoscale Research Letters, 2016, V.11:183

    Download: [pdf]

  3. Photoinduced transformations of optical properties of CdSe and Ag-In-S nanocrystals embedded in the films of polyvinyl alcohol
    Lyudmyla Borkovska, Olexander Gudymenko, Olexander Stroyuk, Alexandra Raevskaya, Olena Fesenko, and Tetyana Kryshtab // AIMS Materials Science, 2016, V.3(2): 658-668.

    Download: [pdf]

  4. Structural properties of chalcogenide glasses As2Se3 doped with manganese
    O.P. Payuk, L.O. Revutska, A.V. Stronski, O.Yo. Gudymenko, H.V. Stanchu, A.A. Gubanova, Ts.A. Kryskov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2016, V.19, N2, P.205-207.

    Download: [pdf]

  5. Дослідження структурних властивостей халькогенідних стекол As2S3, легованих сріблом
    Л.О. Ревуцька, О.П. Паюк, О.В. Стронський, О.Й. Гудименко, A.О. Губанова, Ц.А. Криськов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016, вып.51, C.123-127.

    Download: [pdf]

  6. Effect Of Doping By Transitional Elements On Properties Of Chalcogenide Glasses
    A. Stronski, O. Paiuk, A. Gudymenko, V. Kladko, P. Oleksenko, N. Vuichyk, M. Vlček, I. Lischynskyy, E. Lahderanta, A. Lashkul, A. Gubanova, Ts. Krys'kov // Ceramics International, 2015, V.41, Issue 6, P.7543–7548.

    Download: [pdf]

  7. Nano‐scale pattern formation on the surface of HgCdTe produced by ion bombardment
    AB Smirnov, AI Gudymenko, VP Kladko, AA Korchevyi, RK Savkina, FF Sizov, RS Udovitska // Physica Status Solidi (C), 2015, V.12, Issue 8, P.1175-1178.

    Download: [pdf]

  8. Спосіб одержання плазмонної плівкової наноструктури золота
    Е.Б. Каганович, І.М. Кріщенко, Е.Г. Манойлов, В.П. Кладько, О.Й. Гудименко, С.Б. Кривий // Патент України, №99318, від 25.05.2015

  9. Structural Analysis of n-InN Heteroepitaxial Films and their Ohmic Contacts
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Brunkov P.N., Gudymenko A.I., Jmerik V.N., Ivanov S.V., Kladko V.P., Konakova R.V., Saj P.O., Safriuk N.V., Shynkarenko V.V. // 25th Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2015), 6—12 September, 2015, Sevastopol, Crimea; P.602-604.

    Download: [pdf]

  10. Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, A.V. Zorenko, I.N. Arsentiev, V.P. Kladko, V.M. Kovtonyuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.S. Slipokurov, A.S. Slepova, N.V. Safryuk, A.I. Gudymenko, V.V. Shynkarenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics, 2015. V.18, No3. P.317-323.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018