Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Гудименко Олександр Йосипович

Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник

Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.

Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
 
Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2001-2003 - інженер 
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-дотепер - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова

Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 56 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 29
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 78 (h-index = 6)
- Патенти: 3

 

 


Список публікацій:

  1. Study of strain relaxation in CdSe/ZnSe nanostructures
    L. Borkovska, R. Beyer, O. Gudymenko, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Ye. Venger // Journal of Crystal Growth, 2005, 275, Issues 1-2. e2281-e2287. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  2. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
    B. Romanjuk, V. Kladko, V. Melnik, V. Popov, V. Yukhymchuk, A. Gudymenko, Ya. Olikh, G. Weidner, D. Kruger // Materials Science in Semiconductor Processing V.8 (2005) 171–175. (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  3. Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
    V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, O.F. Kolomys, O.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh, Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, and G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 1. P. 36-45. (Cited 7 times)

    Download: [pdf]

  4. Manifestation of spatial ordering of quantum dots in multilayered SiGe nanostructures in X-Ray diffraction patterns
    V.P. Kladko, V.F. Machulin, O.M. Yefanov, V.A. Yukchimchuk, O.I. Gudymenko, P.P. Kogutyuk, A.V. Shalimov // Ukr. J. Phys. 2005. V. 50, N 9

    Download: [pdf]

  5. Прояв просторового упорядкування квантових острівців у багатошарових наноструктурах SiGe у рентгенівській дифракції
    В.П. Кладько, В.Ф. Мачулін, О.М. Єфанов, В.О. Юхимчук, О.Й. Гудименко, П.П. Когутюк, А.В. Шалімов // Український фізичний журнал 2005. Т. 50, № 9

    Download: [pdf]

  6. Вплив інтердифузії на релаксацію механічних напружень та компонентний склад в самоорганізованих SiGe наноострівцях
    Валах М.Я., Гудименко О.Й., Джаган В.М., Кладько В.П., Красильник З.Ф., Литвин П.М., Мачулін В.Ф., Новіков О.В., Юхимчук В.О. // Металлофизика и новейшие технологии. 2004, Т.26, №6. С.741-751.

    Download: [pdf]

  7. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
    V. Kladko, A. Gudymenko, V. Melnik, V. Popov, B. Romanjuk, V. Yukhymchuk, Ya. Olikh, G. Weidner and D. Kruger  // Proc. 2nd Intern. SiGe Technol. and Device Meeting (ISDTM) 2004, Frankfurt/Oder. P.173-174.

    Download: [pdf]

  8. Investigation of intrinsic defects and their distribution in CdSe/ZnSe quantum dot structures
    T.G. Kryshtab, N.O. Korsunska, Yu.G. Sadofyev, V.P. Kladko, L.V. Borkovska, M.O. Mazin, V.I. Kushnirenko, O.I. Gudymenko, Ye.F. Venger // Materials Science and Engineering C (2003), 23, Issue 6-8, P.715–719.

    Download: [pdf]

  9. Рентгенодифракционные исследования 2D-3D структурных переходов в наноразмерных многослойных периодических структурах
    В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, В.В. Стрельчук, А.И. Гудыменко, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології; Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 2003, т. 1, № 2, сс. 447-457

    Download: [pdf]

  10. Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
    M.E.Seitmuratov, V.P. Kladko, O.I. Gudymenko, L.I. Datsenko, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 3. P. 258-260

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018