Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Станчу Григорій Вікторович

Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №01 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 14 червня 1987, Чернівецька область

Освіта

2007-2011 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2011-2012 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2012-2015 Аспірант Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Наукові ступені та звання: 
2016 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра: 
2015- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN і градієнтних AlGaN плівок та нанодротів" захищена на Спецраді ІФН 07.09.2016 р. 

 Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 25
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 23
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 111 (h-index = 6)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 197 (h-index = 8)


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

  1. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
    V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.

    Download: [pdf]

  2. Measuring the depth profiles of strain/composition in AlGaN-graded layer by high-resolution x-ray diffraction
    A.V. Kuchuk, H.V. Stanchu, Chen Li, M.E. Ware, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, A.E. Belyaev and G.J. Salamo. // Journal of Applied Physics, 2014, V.116, Issue 22, 224302. (cited 1 times)

    Download: [pdf]

  3. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
    N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.

    Download: [pdf]

  4. Correlation between crystallographic alignment of self-induced GaN nanowires and features of Si(111) nitridation
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, H.V. Stanchu, A. Wierzbicka, M. Sobancka, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 4, 04NAESP21(4p).

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2022