Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник відділу №01 ІФН НАНУ

Дата та місце народження: 14 червня 1987, Чернівецька область

Освіта

2007-2011 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2011-2012 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2012-2015 Аспірант Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України 

Наукові ступені та звання: 
2016 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра: 
2015- до тепер - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN і градієнтних AlGaN плівок та нанодротів" захищена на Спецраді ІФН 07.09.2016 р. 

 Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 25
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 23
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 111 (h-index = 6)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 197 (h-index = 8)

21. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
    V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.
    
    
    Download: [pdf]

---

22. Measuring the depth profiles of strain/composition in AlGaN-graded layer by high-resolution x-ray diffraction
    A.V. Kuchuk, H.V. Stanchu, Chen Li, M.E. Ware, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, A.E. Belyaev and G.J. Salamo. // Journal of Applied Physics, 2014, V.116, Issue 22, 224302. (cited 1 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

23. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
    N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.
    
    
    Download: [pdf]

---

24. Correlation between crystallographic alignment of self-induced GaN nanowires and features of Si(111) nitridation
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, H.V. Stanchu, A. Wierzbicka, M. Sobancka, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 4, 04NAESP21(4p).
    
    
    Download: [pdf]

---