укр
eng
Дата та місце народження: 25 лютого 1991, Чернівецька область
Освіта
2008-2012 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2012-2013 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2013-2016 Аспірант Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН
України
Наукові ступені та звання:
2017 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла).
Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики
напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2016- до тепер - науковий співробітник інституту фізики
напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Кандидатська дисертація "Високороздільна Х-променева діагностика впливу деформацій на структуру нанорозмірних систем" захищена на Спецраді ІФН 15.11.2017 р.
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 18
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 18
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 71 (h-index = 5)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 125 (h-index = 7)
- Патенти: 1
Список публікацій:
- The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.Download: [pdf] - Enhanced Ferromagnetism in Cylindrically Confined MnAs Nanocrystals Embedded in Wurtzite GaAs Nanowire Shells
Kaleta A., Kret S., Gas K., Kurowska B., Kryvyi S.B., Rutkowski B., Szwacki N.G., Sawicki M., Sadowski J. // Nano Letters, 2019, V.19, Issue 10, P.7324-7333. - Strain relaxation in GaN/AlN superlattices on GaN(0001) substrate: combined superlattice-to-substrate lattice misfit and thickness-dependent effects
H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Y. Maidaniuk, M. Benamara, Shibin Li, S. Kryvyi, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, Zh.M. Wang and G.J. Salamo // Materials & Design, 2018, V.157, P.141-150. - Formation of the InAs-, InSb-, GaAs-, and GaSb-polished surface
Iryna Levchenko, Vasyl Tomashyk, Iryna Stratiychuk, Galyna Malanych, Andrii Korchovyi, Serhii Kryvyi, Oleksandr Kolomys // Applied Nanoscience, 2018, V.8, Issue 5, P.949–953. - Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatment.
Alexei N. Nazarov, Volodymyr O. Yukhymchuk, Yurii V. Gomeniuk, Sergiy B. Kryvyi, Pavel N. Okholin, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Volodymyr S. Lysenko, Volodymyr I. Glotov, Illya E. Golentus, Enrico Napolitani, Ray Duffy // Journal of Vacuum Science & Technology, B, 2017, V.35, Issue 5, 051203Download: [pdf] - Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template
Serhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2017, V.35, Issue 6, 062902. - Високороздільна Х-променева діагностика впливу деформацій на структуру нанорозмірних систем
Кривий С.Б. // Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 «Фізика твердого тіла». Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2017.Download: [pdf] - The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
Andrian V. Kuchuk / Serhii Kryvyi / Petro M. Lytvyn / Shibin Li / Vasyl P. Kladko / Morgan E. Ware / Yuriy I. Mazur / Nadiia V. Safryuk / Hryhorii V. Stanchu / Alexander E. Belyaev / Gregory J. Salamo // nano Online, Physics, Chemistry and Materials Science at the Nanoscale, 2016, DOI: https://doi.org/10.1515/nano.s11671-016-1478-6 - RF plasma treatment of shallow ion-implanted layers of germanium
P.N. Okholin, V.I. Glotov, A.N. Nazarov, V.O. Yuchymchuk, V.P. Kladko, S.B. Kryvyi, P.M. Lytvyn, S.I. Tiagulskyi, V.S. Lysenko, M. Shayesteh, R. Duffy // Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, V.42, Part 2, P.204-209.Download: [pdf] - Effect of strain-polarization fields on optical transitions in AlGaN/GaN multi-quantum well structures
V. Kladko, A. Kuchuk, А. Naumov, N. Safriuk, O. Kolomys, S. Kryvyi, H. Stanchu, A. Belyaev, V. Strelchuk, B. Yavich, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016, V.76, P.140–145.Download: [pdf]
