Кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник
Дата та місце народження: 25 лютого 1974, м. Київ
Освіта:
1992-1997 - Київський Політехнічний Університет "КПІ"
Наукові ступені та звання:
2019 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла).
Дисертацію захистила у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики
напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
1999-2007 - інженер
2007-2020 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2020-дотепер - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Кандидатська дисертація "Резонансна рентгенівська дифрактометрія поблизу К-країв поглинання компонент при дослідженнях багатошарових структур" захищена в Спецраді ІФН 23.10.2019 р.
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 10
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 5
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 23 (h-index = 3)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 48 (h-index = 5)
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
- Ar-implanted vanadium dioxide thin film with the reduced phase transition temperature
O. Liubchenko, V. Kladko, V. Melnik, B. Romanyuk, O. Gudymenko, T. Sabov, O. Dubikovskyi, Z. Maksimenko, O. Kosulya, O. Kulbachynskyi // Materials Letters, 2022, V.314, 131895. - Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition
V.P. Kladko, V.P. Melnik, О.I. Liubchenko, B.M. Romanyuk, О.Yo. Gudymenko, Т.M. Sabov, О.V. Dubikovskyi, Z.V. Maksimenko, О.V. Kosulya, O.A. Kulbachynskyi, P.M. Lytvyn, О.O. Efremov // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2021, V.24, Issue 4, P.362-371.Download: [pdf] - Modification of elastic deformations and analysis of structural and optical changes in Ar+-implanted AlN/GaN superlattices
Oleksii Liubchenko, Tomash Sabov, Vasyl Kladko, Viktor Melnik, Volodymyr Yukhymchuk, Borys Romanyuk, Oleksandr Kolomys, Oleksandr Hreshchuk, Oleksandr Dubikovskyi, Zoia Maksimenko, Oleksandr Gudymenko, Alexander Belyaev // Applied Nanoscience, 2020, V.10, Issue 8, P.2479–2487. https://doi.org/10.1007/s13204-019-01000-w - Резонансна рентгенівська дифрактометрія поблизу К- країв поглинання компонент при дослідженнях багатошарових структур
Максименко З.В. // Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико- математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 «Фізика твердого тіла». – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2019 р.Download: [pdf] - Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.Download: [pdf] - Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
V.P. Klad‘ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Journal of Physics D: Appl. Phys. 2001, V.34, P.A87–A92. (cited 15 times)Download: [pdf] - Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds, 2001, V.328, P.218–221. (cited 3 times)Download: [pdf] - Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V.4, No 3, P. 146-151Download: [pdf] - Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751. (cited 3 times)Download: [pdf] - Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В. // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]