Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 73
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 390 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 537 (h-index = 12)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. Structural transformations in ZnS:Cu in the course of thermal annealing
    Yu.Yu. Bacherikov, N.E. Korsunska, V.P. Kladko, E.F. Venger, N.P. Baran, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk // Semiconductors, 2012. Vol.46, Number 2, P.188-192. DOI: 10.1134/S1063782612020030

    Download: [pdf]

  2. Ni-Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscopy
    Marek Wzorek, Andrzej Czerwiński, Andrian V. Kuchuk, Jacek Ratajczak, Anna Piotrowska, Jerzy Kątcki  // Solid State Phenomena (Part B of "Diffusion and Defect Data 0377-6883")) (Electron Microscopy XIV) 2012, Vol.186, P.82-86

  3. Features of temperature dependence of contact resistivity in ohmic contacts on lapped n-Si
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet and S. Vitusevich  // Journal of Applied Physics, 2012, Vol.112 Issue 6. P.063703. (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  4. Resistance Formation Mechanisms for Contacts to III-N Heterostructures with High Dislocation Density
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, A.V. Naumov, V.V. Panteleev, V.N. Sheremet  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2012. V.15, No4. P.351-357.

    Download: [pdf]

  5. Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy as a Tool for Investigation of Structural Changes and Redistribution of Carbon in Ni-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide
    Paweł Borowicz, Adrian Kuchuk, Zbigniew Adamus, Michał Borysiewicz, Marek Ekielski, Eliana Kamińska, Anna Piotrowska, and Mariusz Latek // ISRN Nanomaterials, vol.2012, Article ID 852405, 11 pages, 2012. doi:10.5402/2012/852405

    Download: [pdf]

  6. Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  7. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
    Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю.  // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)

    Download: [pdf]

  8. Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
    Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45, вып.2, С.256-252. (cited 7 times)

    Download: [pdf]

  9. Термохромні властивості плівок оксиду ванадію отриманих магнетронним напиленням
    Мельник В.П., Хацевич І.М., Голтвянський Ю.В., Нікірін В.В., Романюк Б.М., Попов В.Г. Кладькo В.П., Кучук А.В. // Український Фізичний Журнал, 2011, 56, №6. С.535-541.

    Download: [pdf]

  10. Effect of p–n Junction Over-heating on Degradation of Silicon High–Power Pulsed IMPATT Diodes.
    A.E. Belyaev, V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Zorenko, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, N.V. Kolesnik, T.V. Korostinskaya, T.V. Kritskaya, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, and A.B. Ataubaeva // Semiconductors, 2011, V.45, No 2, P.253-259. (cited 8 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018