Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 56
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 238 (h-index = 8)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 376 (h-index = 10)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. Interrelation between Light Emitting and Structural Properties of Si Nanoclusters Embedded in SiO2 and Al2O3 Hosts
    L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, M. Baran, J. Jedrzejewski, I. Balberg, P. Marie, F. Gourbilleau and N. Korsunska // Materials Research Society Symposium Proceedings, 2013. V.1617. P.75-80. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1167

    Download: [pdf]

  2. Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, A.V. Kuchuk, T.V. Korostinskaya, A.S. Pilipchuk, V.N. Sheremet, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013, V.16, N4, P.313-321.

  3. Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига.
    Бачериков Ю.Ю., Корсунская Н.Е., Кладько В.П., Венгер Е.Ф., Баран Н.П., Кучук А.В., Жук А.Г.  // Физика и Техника Полупроводников, 2012. V.46. выпуск 2. C.198-203.

    Download: [pdf]

  4. Low-temperature method for thermochromic high ordered VO2 phase formation
    Melnyk V.P., Khazevich I.V., Kladko V.P., Kuchuk A.V., Nikirin V.V., Romanyuk B.M.  // Materials Letters, 2012, V.68. P.215-217. (cited 33 times)

    Download: [pdf]

  5. Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, O.M. Yefanov, N.V. Safriuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo  // Nanoscale Research Letters 2012, 7: 289. (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  6. The Formation Mechanism of Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC
    Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Krystyna Golaszewska, Marek Guziewicz, Marek Wzorek, Eliana Kaminska, and Anna Piotrowska  // Material Science Forum, 2012. V.717-720, P.833-836.

    Download: [pdf]

  7. Fundamentals and practice of metal contacts to wide band gap semiconductor devices
    M.A. Borysiewicz, E. Kamińska, M. Myśliwiec, M. Wzorek, A. Kuchuk, A. Barcz, E. Dynowska, M.-A. di Forte-Poisson, C. Giesen, A. Piotrowska // Crystal Research and Technology, 2012, 47, (3), P.261-272.

    Download: [pdf]

  8. Structural transformations in ZnS:Cu in the course of thermal annealing
    Yu.Yu. Bacherikov, N.E. Korsunska, V.P. Kladko, E.F. Venger, N.P. Baran, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk // Semiconductors, 2012. Vol.46, Number 2, P.188-192. DOI: 10.1134/S1063782612020030

    Download: [pdf]

  9. Ni-Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscopy
    Marek Wzorek, Andrzej Czerwiński, Andrian V. Kuchuk, Jacek Ratajczak, Anna Piotrowska, Jerzy Kątcki  // Solid State Phenomena (Part B of "Diffusion and Defect Data 0377-6883")) (Electron Microscopy XIV) 2012, Vol.186, P.82-86

  10. Features of temperature dependence of contact resistivity in ohmic contacts on lapped n-Si
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet and S. Vitusevich  // Journal of Applied Physics, 2012, Vol.112 Issue 6. P.063703. (cited 5 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017