Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 90 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 85
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 552 (h-index = 12)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 895 (h-index = 15)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC
    A. Kuchuk, V. Kladko, Z. Adamus, M. Wzorek, M. Borysiewicz, P. Borowicz, A. Barcz, K. Golaszewska, and A. Piotrowska // ISRN Electronics, vol.2013, Article ID 271658, 5 pages, 2013. doi:10.1155/2013/271658

    Download: [pdf]

  2. Features of ZnS-Powder Doping with a Mn Impurity during Synthesis and Subsequent Annealing
    N.E. Korsunskaya, Yu.Yu. Bacherikov, T.R. Stara, V.P. Kladko, N.P. Baran, Yu.O. Polischuk, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk, E.F. Venger // Semiconductors, 2013, V.47, N5, P.713-720.

    Download: [pdf]

  3. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
    N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.

    Download: [pdf]

  4. Si-rich Al2O3 films grown by RF magnetron sputtering: structural and photoluminescence properties versus annealing treatment
    N. Korsunska, L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, T. Stara, O. Oberemok, B. Romanyuk, P. Marie, J. Jedrzejewski, I. Balberg // Nanoscale Research Letters 2013, 8:273 (doi: 10.1186/1556-276X-8-273)

    Download: [pdf]

  5. Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants
    M.I. Klyui, V.P. Temchenko, O.P. Gryshkov, V.A. Dubok, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, V.M. Dzhagan, V.O. Yukhymchuk, V.S. Kiselov // Functional materials, 2013, V.20, No2, P.163-171.

    Download: [pdf]

  6. Спосіб виготовлення термочутливої плівки оксиду ванадію для неохолоджуваних болометрів.
    Голтвянський Ю.М., Венгер Є.Ф., Хацевич І.М., Нікірін В.В., Мусаєв М.М., Оберемок О.С., Кладько В.П., Кучук А.В.  // Патент України на корисну модель № 83371. (Бюл. 10.09.2013).

  7. Study of Structure and Intrinsic Stresses of Ge Thin Films on GaAs
    V.V. Kholevchuk, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, L.A. Matveeva, V.F. Mitin // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 1, 01PCSI20(4p).

    Download: [pdf]

  8. Correlation between crystallographic alignment of self-induced GaN nanowires and features of Si(111) nitridation
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, H.V. Stanchu, A. Wierzbicka, M. Sobancka, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 4, 04NAESP21(4p).

    Download: [pdf]

  9. Interrelation between Light Emitting and Structural Properties of Si Nanoclusters Embedded in SiO2 and Al2O3 Hosts
    L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, M. Baran, J. Jedrzejewski, I. Balberg, P. Marie, F. Gourbilleau and N. Korsunska // Materials Research Society Symposium Proceedings, 2013. V.1617. P.75-80. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1167

    Download: [pdf]

  10. Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, A.V. Kuchuk, T.V. Korostinskaya, A.S. Pilipchuk, V.N. Sheremet, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013, V.16, N4, P.313-321.


 
© 2006-2020