Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 63
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 307 (h-index = 10)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 537 (h-index = 12)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
    Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)

    Download: [pdf]

  2. Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, and S.A. Vitusevich // Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology (August 3), 2009 Vol.20, Issue 5.

  3. Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Кучук, Т.В. Коростинская, О.С. Литвин, В.В. Миленин, П.В. Неволин, А.Б. Атаубаева // Техника и приборы СВЧ, 2009. №2. С.31-34.

    Download: [pdf]

  4. Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694. (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  5. Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
    A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak.  // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100. Issue 4. (042003). (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  6. Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 17 times)

    Download: [pdf]

  7. О механизме токопереноса обусловленном дислокациями в нитрид-галлиевых диодах Шоттки.
    Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н. // Физика и Техника Полупроводников. 2008, Т.42, вып.6, P.706-710. (Cited 20 times)

    Download: [pdf]

  8. Нанокомпозитные нк-TaN/а-Si3N4 “Mictamict” пленки в схемах металлизации нитрида галлия для приборов высокотемпературной электроники.
    Kuchuk A.V., Kladko V.P., Piotrowska A., Lytvyn O.S., Guziewicz M., Minikaev R.  // Харьковская нанотехнологическая ассамблея – 2007 "Тонкие пленки", Харків. 2007. – Т.2. С.43-48.

  9. On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al2O3 Schottky barrier diodes.
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kuchuk A.V., Milenin V.V., Sveshnikov Yu.N., Sheremet V.N.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2007. V.10, No 3. P.1-5. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  10. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2007. V.10, No 4. P.1-8. (cited 4 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017