Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 140 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 729 (h-index = 14)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1138 (h-index = 18)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

31. Formation of MgZnO alloy under thermodynamic conditions
    I.V. Markevich, T.R. Stara, A.V. Kuchuk, Yu.O. Polishchuk, V.P. Kladko // Physica B:Condensed Matter, 2014, V.453, P.123-126.
    
    
    Download: [pdf]

---

32. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
    V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V.17, No 4, P.317-324.
    
    
    Download: [pdf]

---

33. Mechanism of strain-influenced quantum well thickness reduction in GaN/AlN short-period superlattices
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, T.L. Petrenko, V.P. Bryksa, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, E.A. DeCuir Jr and G.J. Salamo // Nanotechnology, 2014, V.25, No24, 245602. (cited 1 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

34. Structural transformation and functional properties of vanadium oxide films after low-temperature annealing
    Yu. Goltvyanskyi, I. Khatsevych, A. Kuchuk, V. Kladko, V. Melnik, P. Lytvyn, V. Nikirin, B. Romanyuk // Thin Solid Films, 2014, V.564, P.179-185.

---

35. Measuring the depth profiles of strain/composition in AlGaN-graded layer by high-resolution x-ray diffraction
    A.V. Kuchuk, H.V. Stanchu, Chen Li, M.E. Ware, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, A.E. Belyaev and G.J. Salamo. // Journal of Applied Physics, 2014, V.116, Issue 22, 224302. (cited 1 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

36. The influence of annealing on structural and photoluminescence properties of silicon-rich Al2O3 films prepared by co-sputtering
    N. Korsunska, T. Stara, V. Strelchyk, O. Kolomys, V. Kladko, A. Kuchuk, L. Khomenkova, J. Jedrzejewski, I. Balberg // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2013, V.51, P.115-119.
    
    
    Download: [pdf]

---

37. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
    Басанец В.В., Болтовец Н.С., Гуцул А.В., Зоренко А.В., Ральченко В.Г., Беляев А.Е., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В.  // Журнал Технической Физики, 2013. T.83, выпуск 3. C.113-117. (cited 1 time)
    
    
    Download: [pdf]

---

38. Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига
    Корсунская Н.Е., Бачериков Ю.Ю., Стара Т.Р., Кладько В.П., Баран Н.П., Полищук Ю.О., Кучук А.В., Жук А.Г., Венгер Е.Ф. // Физика и техника полупроводников, 2013, Т.47, вып.5. С.702-709.
    
    
    Download: [pdf]

---

39. Integrated Microwave (Centimeter-Range) Modulator on Polycrystalline Diamond Layers
    V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Gutsul, A.V. Zorenko, V.G. Ral’chenko, A.E. Belyaev, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, and V.V. Milenin // Technical Physics, 2013, Vol.58, No.3, P.420–424. (cited 1 time)
    
    
    Download: [pdf]

---

40. Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces
    Pawel Borowicz, Adrian Kuchuk, Zbigniew Adamus, Michal Borysiewicz, Marek Ekielski, Eliana Kaminska, Anna Piotrowska, Mariusz Latek // ISRN Physical Chemistry, vol. 2013, Article ID 487485, 11 pages, 2013. doi:10.1155/2013/487485
    
    
    Download: [pdf]

---