Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 74
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 403 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 643 (h-index = 13)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded AlxGa1−xN Films and Nanowires
    Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Zbigniew R. Zytkiewicz, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V.11, 81.

    Download: [pdf]

  2. Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability
    A.V. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Golaszewska, E. Kaminska, V. Kladko, and A. Piotrowska // Advances in Condensed Matter Physics, Volume 2016 (2016), Article ID 9273702, 26 pages. http://dx.doi.org/10.1155/2016/9273702

    Download: [pdf]

  3. The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
    Andrian V. Kuchuk, Serhii Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Shibin Li, Vasyl Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Nadiia Safryuk, Hryhorii Stanchu, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V11, 252

    Download: [pdf]

  4. An influence of the local strain on cathodoluminescence of GaN/AlxGa1−xN nanowire structures
    Anna Reszka, Aleksandra Wierzbicka, Kamil Sobczak, Uwe Jahn, Ute Zeimer, Andrian V.Kuchuk, Agnieszka Pieniążek, Marta Sobanska, Kamil Klosek, Zbigniew R.Zytkiewicz, and Bogdan J.Kowalski  // Journal of Applied Physics, V.120, 194304 (2016). doi: 10.1063/1.4968004

    Download: [pdf]

  5. Structural and Optical Characteristics of GeSn Quantum Wells for Silicon-Based Mid-Infrared Optoelectronic Applications
    Wei Dou, Seyed Amir Ghetmiri, Sattar Al-Kabi, Aboozar Mosleh, Yiyin Zhou, Bader Alharthi, Wei Du, Joe Margetis, John Tolle, Andrian Kuchuk, Mourad Benamara, Baohua Li, Hameed A Naseem, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Journal of Electronic Materials, 2016, V.45, Issue 12, P.6265-6272.

  6. Роль деформаційних полів у формуванні властивостей нанорозмірних структур на основі ІІІ-нітридів
    Кладько В.П., Кучук А.В., Бєляєв О.Є. // VII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-7, Наукове видання. Матеріали конференції, 2016, С.21-22. Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара (м. Дніпро)

    Download: [pdf]

  7. High-resolution X-ray diffraction analysis of strain distribution in GaN nanowires on Si(111) substrate
    Hryhorii Stanchu, Vasyl Kladko, Andrian V Kuchuk, Nadiia Safriuk, Alexander Belyaev, Aleksandra Wierzbicka, Marta Sobanska, Kamil Klosek and Zbigniew R Zytkiewicz // Nanoscale Research Letters, 2015, V.10: 51

    Download: [pdf]

  8. Nanoscale Electro-Structural Characterization of Compositionally Graded AlxGa1-xN Heterostructures on GaN/sapphire (0001) Substrate
    Andrian V. Kuchuk, Petro M. Lytvyn, Chen Li, Hryhorii V. Stanchu, Yuriy I. Mazur, Morgan E. Ware, Mourad Benamara, Renata_Ratajczak, Vitaliy Dorogan, Vasyl P. Kladko, Alexander E. Belyaev, Gregory G. Salamo // ACS Applied Materials & Interfaces, 2015, V.7, Issue 41, P.23320–23327.

  9. Роль деформационных полей в формировании многослойных структур на основе ІІІ-нитридов
    В.П. Кладько, А.В. Kучук, Н.В. Сафрюк, Г.В. Станчу, A.E. Беляев // В кн.: Наноразмерные системы и наноматериалы: иcследования в Украине, Під редакцією А.Г. Наумовця, Глава 3, С.290-295; НАН України. — К.: Академперіодика, 2015, ISBN: 978-966-360-260-8

    Download: [pdf]

  10. Correlation between luminescent characteristics and phase composition of ZnS:Cu powder prepared by self-propagating high temperature synthesis
    Yu. Bacherikov, A. Kuchuk, A. Zhuk, Yu. Polischuk, V. Kladko, T. Kryshtab, N. Korsunska // Journal of Luminescence, 2014, V.145, P.970-975.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018