укр
eng
Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.
Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Наукові ступені та звання:
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію” захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 140
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 729 (h-index = 14)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1138 (h-index = 18)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1
Список публікацій:
- Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template
Serhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2017, V.35, Issue 6, 062902. - The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
Andrian V. Kuchuk / Serhii Kryvyi / Petro M. Lytvyn / Shibin Li / Vasyl P. Kladko / Morgan E. Ware / Yuriy I. Mazur / Nadiia V. Safryuk / Hryhorii V. Stanchu / Alexander E. Belyaev / Gregory J. Salamo // nano Online, Physics, Chemistry and Materials Science at the Nanoscale, 2016, DOI: https://doi.org/10.1515/nano.s11671-016-1478-6 - Effect of strain-polarization fields on optical transitions in AlGaN/GaN multi-quantum well structures
V. Kladko, A. Kuchuk, А. Naumov, N. Safriuk, O. Kolomys, S. Kryvyi, H. Stanchu, A. Belyaev, V. Strelchuk, B. Yavich, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016, V.76, P.140–145.Download: [pdf] - Физико-технологические проблемы нитрид-галлиевой электроники
Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. // Монографія, Київ, „Наукова думка” 2016, 260 с. - X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded AlxGa1−xN Films and Nanowires
Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Zbigniew R. Zytkiewicz, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V.11, 81.Download: [pdf] - Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability
A.V. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Golaszewska, E. Kaminska, V. Kladko, and A. Piotrowska // Advances in Condensed Matter Physics, Volume 2016 (2016), Article ID 9273702, 26 pages. http://dx.doi.org/10.1155/2016/9273702Download: [pdf] - The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
Andrian V. Kuchuk, Serhii Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Shibin Li, Vasyl Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Nadiia Safryuk, Hryhorii Stanchu, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V11, 252Download: [pdf] - An influence of the local strain on cathodoluminescence of GaN/AlxGa1−xN nanowire structures
Anna Reszka, Aleksandra Wierzbicka, Kamil Sobczak, Uwe Jahn, Ute Zeimer, Andrian V.Kuchuk, Agnieszka Pieniążek, Marta Sobanska, Kamil Klosek, Zbigniew R.Zytkiewicz, and Bogdan J.Kowalski // Journal of Applied Physics, V.120, 194304 (2016). doi: 10.1063/1.4968004Download: [pdf] - Structural and Optical Characteristics of GeSn Quantum Wells for Silicon-Based Mid-Infrared Optoelectronic Applications
Wei Dou, Seyed Amir Ghetmiri, Sattar Al-Kabi, Aboozar Mosleh, Yiyin Zhou, Bader Alharthi, Wei Du, Joe Margetis, John Tolle, Andrian Kuchuk, Mourad Benamara, Baohua Li, Hameed A Naseem, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Journal of Electronic Materials, 2016, V.45, Issue 12, P.6265-6272. - Роль деформаційних полів у формуванні властивостей нанорозмірних структур на основі ІІІ-нітридів
Кладько В.П., Кучук А.В., Бєляєв О.Є. // VII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-7, Наукове видання. Матеріали конференції, 2016, С.21-22. Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара (м. Дніпро)Download: [pdf]
