Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 140 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 729 (h-index = 14)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1138 (h-index = 18)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

81. Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694. (cited 20 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

82. Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
    A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak.  // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100. Issue 4. (042003). (cited 20 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

83. Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 17 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

84. О механизме токопереноса обусловленном дислокациями в нитрид-галлиевых диодах Шоттки.
    Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н. // Физика и Техника Полупроводников. 2008, Т.42, вып.6, P.706-710. (Cited 20 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

85. Нанокомпозитные нк-TaN/а-Si3N4 “Mictamict” пленки в схемах металлизации нитрида галлия для приборов высокотемпературной электроники.
    Kuchuk A.V., Kladko V.P., Piotrowska A., Lytvyn O.S., Guziewicz M., Minikaev R.  // Харьковская нанотехнологическая ассамблея – 2007 "Тонкие пленки", Харків. 2007. – Т.2. С.43-48.

---

86. On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al2O3 Schottky barrier diodes.
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kuchuk A.V., Milenin V.V., Sveshnikov Yu.N., Sheremet V.N.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2007. V.10, No 3. P.1-5. (cited 6 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

87. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2007. V.10, No 4. P.1-8. (cited 4 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

88. Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
    By Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Oksana S. Lytvyn, Anna Piotrowska, Roman A. Minikayev, and Renata Ratajczak // Advanced engineering materials. 2006, 8, No3. P.209-212. (Cited 4 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

89. Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N пленок в системе металлизации Au/GaN
    А.В. Кучук, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, A. Piotrowska // Журнал технической физики, 2006, T.76, вып.10. C.132-135. (cited 3 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

90. Thermal Stability of Thin Amorphous Ta–Si–N Films Used in Au/GaN Metallization
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, and A. Piotrowska // Technical Physics, 2006, Vol. 51, No. 10, pp. 1383–1385. (Cited 3 times)
    
    
    Download: [pdf]

---