Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 56
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 238 (h-index = 8)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 376 (h-index = 10)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:

  1. Measurements of precision value of ohmic contact resistance to n-SiC by c-TLM method
    K. Golaszewska-Malec, J. Kiszkurno, A. Kuchuk, W. Jung, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska. // Elektronika – 2011. Vol.LII (9), P.98-102.

  2. Electron microscopy study of nickel-based ohmic contacts to silicon carbide
    M. Wzorek, A. Czerwiński, A. Kuchuk, J. Ratajczak, A. Piotrowska, J. Kątcki. // Elektronika – 2011. Vol.LII (9), P.37-40.

  3. Structural studies of carbon films in nickel-based ohmic contacts with the visible and ultraviolet Raman spectroscopy
    P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek // Elektronika – 2011. Vol.LII (9), P.103-106.

  4. X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
    Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  5. Reliability Tests of Au-metallized Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffusion Barriers.
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Materials Science Forum, 2010. V.645-648 (Silicon Carbide and Related Materials 2009). P.737-740. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  6. The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd2Si-p+-Si ohmic contacts
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, T.V. Korostinskaya, A.B. Ataubaeva, P.V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.8-11.

    Download: [pdf]

  7. Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 18 times)

    Download: [pdf]

  8. On the Formation of Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A. Piotrowska, R. Ratajczak, R. Jakiela // Materials Science Forum 2009. V.615-617. Р.573-576. (cited 10 times)

    Download: [pdf]

  9. Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions.
    A.V. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska.  // Materials Science and Engineering – B 2009. V.165, Issue 1-2. P.38-41. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  10. Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
    Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017