Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 140 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 729 (h-index = 14)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1138 (h-index = 18)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

61. Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 5 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

62. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
    Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю.  // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

63. Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
    Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45, вып.2, С.256-252. (cited 7 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

64. Термохромні властивості плівок оксиду ванадію отриманих магнетронним напиленням
    Мельник В.П., Хацевич І.М., Голтвянський Ю.В., Нікірін В.В., Романюк Б.М., Попов В.Г. Кладькo В.П., Кучук А.В. // Український Фізичний Журнал, 2011, 56, №6. С.535-541.
    
    
    Download: [pdf]

---

65. Effect of p–n Junction Over-heating on Degradation of Silicon High–Power Pulsed IMPATT Diodes.
    A.E. Belyaev, V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Zorenko, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, N.V. Kolesnik, T.V. Korostinskaya, T.V. Kritskaya, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, and A.B. Ataubaeva // Semiconductors, 2011, V.45, No 2, P.253-259. (cited 8 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

66. Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
    V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760. (cited 2 times)
    
    
    Download: [pdf]

---

67. Thermochromic Properties of Vanadium Dioxide Films Obtained by Magnetron Sputtering
    Melnik V.P., Khatsevych I.M., Goltvyanskyi Yu.V., Nikirin V.A., Romanyuk B.M., Popov V.G., Klad'ko V.P., Kuchuk A.V. // Ukrainian Journal of Physics 2011, Vol.56, N 6, p.534-540
    
    
    Download: [pdf]

---

68. TEM characterisation of suicide phase formation in Ni-based ohmic contacts to 4H n-SiC
    Wzorek M., Czerwinski A., Kuchuk A., Ratajczak J., Piotrowska A., Katcki J.  // Materials Transactions 2011, 52. (3), P.315-318.

---

69. Measurements of precision value of ohmic contact resistance to n-SiC by c-TLM method
    K. Golaszewska-Malec, J. Kiszkurno, A. Kuchuk, W. Jung, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska. // Elektronika – 2011. Vol.LII (9), P.98-102.

---

70. Electron microscopy study of nickel-based ohmic contacts to silicon carbide
    M. Wzorek, A. Czerwiński, A. Kuchuk, J. Ratajczak, A. Piotrowska, J. Kątcki. // Elektronika – 2011. Vol.LII (9), P.37-40.

---