Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кучук Андріан Володимирович
Кучук Андріан - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник, Лауреат Премії Президента України для молодих вчених 

Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.

Освіта:

1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Наукові ступені та звання: 
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Карєра:

2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України

Кандидатська дисертація „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію”  захищена 19.05.2006 р. у спецраді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 80 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 56
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 238 (h-index = 8)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 376 (h-index = 10)
- Кількість монографій: 2 (див. в розділі публікації)
- Патенти: 1

 


Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ----- [наступна >>]

  1. Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.V. Kuchuk, Ja. Domagala, A.V. Shalimov, A.A. Korchovyi // Ukr. J. Phys. 2004, V. 49, N 1. C.79-84. (cited 1 times)

    Download: [pdf]

  2. Barrier properties of Ta–Si–N films in Ag-and Au-containing metallization
    A.V. Kuchuk, J. Ciosek, A. Piotrowska, E. Kaminska, A. Wawro, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak // Vacuum, 2004, Vol. 74, P. 195–199

    Download: [pdf]

  3. Amorphous Ta–Si–N diffusion barriers on GaAs
    A. Kuchuk, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, E. Dynowska, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak // Thin Solid Films, 2004, Vol. 459, P. 292–296

    Download: [pdf]

  4. ZnO–GaN tunnel junction for transparent ohmic contacts to p-GaN
    E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, R. Kruszka, A. Kuchuk , J. Szade, A. Winiarski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber // Journal of Alloys and Compounds, 2004, Vol. 371, P. 129–132

    Download: [pdf]

  5. Study of long-term stability of ohmic contacts to GaN
    E. Kaminska, K. Golaszewska, A. Piotrowska, A. Kuchuk, R. Kruszka, E. Papis, R. Szeloch, P. Janus, T. Gotszalk, A. Barcz // Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 1, No. 2, P. 219–222 (2004)

    Download: [pdf]

  6. Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2003. V. 6, N 3. P. 392-396

    Download: [pdf]

  7. Engineering ZnO/GaN interfaces for tunneling ohmic contacts to GaN
    E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, R. Kruszka, A. Kuchuk, J. Szade, A. Winiarski, A. Barcz1, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2003, Vol. 747, V6.7.1-V6.7.6

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2017