| |
 |
 |
 |
 |
 |
 укр
 eng
|
 |
|
|
| |
Статті
- Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия).
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Клейнфельд Ю.Н., Семенова Г.Н., Хазан Л.С.
// Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №2. С.368-372.
(cited 3 times)
- Изучение эффекта дальнодействия в монокристаллах GaAs с высокой плотностью дислокаций.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Свительский А.И.
// Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №11 С.1932-1937.
- Изменение спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев InP при механической обработке.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Сенчило А.Г.
// Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №13, C.62-67.
- Осциллирующая релаксация эффекта дальнодействия в GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н.
// Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №24, C.1-5.
- Laser-assisted evaporation of high-quality narrow-gap thin films.
Plyatsko S.V., Gromovoj Yu.S., Kostyunin G.V., Sizov F.F., Kladko V.P.
// Thin Sol. Films, 1992, V.221, Issues 1-2, P.127-131.
(cited 4 times)
|
|
 |
|
|
© 2006-2018 |
|
|
