укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
- Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия).
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Клейнфельд Ю.Н., Семенова Г.Н., Хазан Л.С. // Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №2. С.368-372. (cited 3 times)Download: [pdf] - Изучение эффекта дальнодействия в монокристаллах GaAs с высокой плотностью дислокаций.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Свительский А.И. // Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №11 С.1932-1937.Download: [pdf] - Изменение спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев InP при механической обработке.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Сенчило А.Г. // Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №13, C.62-67.Download: [pdf] - Осциллирующая релаксация эффекта дальнодействия в GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н. // Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №24, C.1-5.Download: [pdf] - Laser-assisted evaporation of high-quality narrow-gap thin films.
Plyatsko S.V., Gromovoj Yu.S., Kostyunin G.V., Sizov F.F., Kladko V.P. // Thin Sol. Films, 1992, V.221, Issues 1-2, P.127-131. (cited 4 times)Download: [pdf]
