Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

  1. Исследование типа доминирующих микродефектов в “бездислокационном” теллуриде кадмия.
    Гуреев А.Н., Кладько В.П. Даценко Л.И., Скороход М.Я.  // Український Фізичний Журнал, 1986. Т.31, №1 С.101-104

    Download: [pdf]

  2. Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
    Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В.  // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89.

  3. Простой рентгенодифракционный метод контроля глубины нарушенного слоя в реальных кристаллах.
    Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Когут И.В.  // Ред. журн. ”Элект. техника”, 1986. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника” – №4225.

  4. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
    Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Хрупа В.И., Кисловский Е.Н., Кладько В.П,, Низкова А.И., Прокопенко И.В., Скороход М.Я.. // Авторське свідоцтво на винахід №1255906


 
© 2006-2018