укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
- О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №3 (Cited 5 times)Download: [pdf] - On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
V.P. Kladko, S.V. Plyatsko // Semiconductors, 32 (3), March 1998. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений и анализ нестехиометрии в бинарных кристаллах.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии, 1998, Т.20, №1. С.3-8.Download: [pdf] - Осциллирующий характер диффузии точечных дефектов в деформационном поле, вызванном механической обработкой поверхности InAs.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии. 1998. т.20, №5. С.45-49.Download: [pdf]
