Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

  1. О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
    В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №3 (Cited 5 times)

    Download: [pdf]

  2. On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
    V.P. Kladko, S.V. Plyatsko // Semiconductors, 32 (3), March 1998. (Cited 5 times)

    Download: [pdf]

  3. Дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений и анализ нестехиометрии в бинарных кристаллах.
    Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии, 1998, Т.20, №1. С.3-8.

    Download: [pdf]

  4. Осциллирующий характер диффузии точечных дефектов в деформационном поле, вызванном механической обработкой поверхности InAs.
    Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии. 1998. т.20, №5. С.45-49.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018