| |
ДИСЕРТАЦІЇ :: КНИГИ :: СТАТТІ
Статті
- Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3).
DOI: 10.1063/1.3184569
(Cited 18 times)
- On the Formation of Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A. Piotrowska, R. Ratajczak, R. Jakiela // Materials Science Forum 2009. V.615-617. Р.573-576. (cited 10 times)
- Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions.
A.V. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska. // Materials Science and Engineering – B 2009. V.165, Issue 1-2. P.38-41. (cited 6 times)
- Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A.
// Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9).
DOI: 10.1063/1.3094022
(Cited 29 times)
- Three-dimensional ordering in self‐organized (In,Ga)As quantum dot multilayer structures
V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751.
DOI 10.1002/pssa.200881593
(Cited 6 times)
- Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GаP
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В. // Физика и Техника Полупроводников, 2009, Т.43, вып.11. C.1468-1472.
- Sensitivity of triple-crystal X-ray diffractometers to microdefects in silicon
V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, B.V. Sheludchenko // Phys. Stat. Sol.(A), 2009. V.206. N8, p.1761-1765.
DOI: 10.1002/pssa.200881588
(Cited 19 times)
- Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)Bx, подвергнутых быстрым термоотжигам.
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Я.Я. Кудрик, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет
// Физика и Техника Полупроводников. 2009. Т.43. вып.8. с.1125-1130.
- Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020.
Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020.
(Cited 6 times)
- Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222.
(Cited 2 times)
|
|
 |
укр
eng
