Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
ДИСЕРТАЦІЇ :: КНИГИ :: СТАТТІ
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. X-ray analysis for micro-structure of AlN/GaN multiple quantum well systems
    Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, V.30, Issue 1, P.499-507.

  2. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au-Ti-Pd-n+-n-Si
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк-Романенко, A.И. Любченко, В.М. Шеремет, В.В. Шинкаренко, А.С. Слепова, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.С. Пилипчук, Р.В. Конакова, А.В. Саченко // Физика и техника полупроводников, 2019, V.53, вып.4, С.485-492.

    Download: [pdf]

  3. Photoluminescence, conductivity and structural study of terbium doped ZnO films grown on different substrates
    N. Korsunska, L. Borkovska, Yu. Polischuk, O. Kolomys, P. Lytvyn, I. Markevich, V. Strelchuk, V. Kladko, O. Melnichuk, L. Melnichuk, L. Khomenkova, C. Guillaume, X. Portier // Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, V.94, P.51-56.

  4. Atomic force microscopy and Raman spectroscopy of Pb1−xSnxTe surfaces polished after treatment with H2O2–HBr–ethylene glycol etchants
    G.P. Malanych, O.F. Kolomys, A.A. Korchovyi, N.V. Safriuk, V.M. Tomashyk // Applied Nanoscience, 2019, V.9, P.1-9. https://doi.org/10.1007/s13204-019-00974-x

  5. Electronic and Structural Properties of Si-Gd-O Electron Emitter
    M.I. Fedorchenko, P.V. Melnik, M.G. Nakhodkin, O.I. Gudymenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn // Surface Review and Letters, 2019, V.26, https://doi.org/10.1142/S0218625X19500896

  6. Modification of elastic deformations and analysis of structural and optical changes in Ar+-implanted AlN/GaN superlattices
    Oleksii Liubchenko, Tomash Sabov, Vasyl Kladko, Viktor Melnik, Volodymyr Yukhymchuk, Borys Romanyuk, Oleksandr Kolomys, Oleksandr Hreshchuk, Oleksandr Dubikovskyi, Zoia Maksimenko, Oleksandr Gudymenko, Alexander Belyaev // Applied Nanoscience, 2019, V.9, https://doi.org/10.1007/s13204-019-01000-w

  7. Structure, Non-stoichiometry, Valence of Ions, Dielectric and Magnetic Properties of Single-Phase Bi0.9La0.1FeO3-δ Multiferroics
    A.V Pashchenko,N.A Liedienov, Quanjun Li, D.D. Tatarchuk, V.A. Turchenko, I.I. Makoed, V.Ya. Sycheva, A.V. Voznyak, V.P. Kladko, A.I. Gudimenko, Y.V. Didenko, A.T. Kozakov, G.G. Levchenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2019, V.483, P.100-113.

  8. Features of the Temperature Dependence of the Specific Contact Resistance of Au–Ti–Pd–n+–n-Si Diffusion Silicon Structures
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.P. Kladko, N.V. Safryuk-Romanenko, A.I. Lubchenko, V.N. Sheremet, V.V. Shynkarenko, A.S. Slepova, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, A.S. Pilipchuk, R.V. Konakova, A.V. Sachenko // Semiconductors, 2019, V.53, No4, P.469-476.

    Download: [pdf]

  9. Microscopic mechanisms of Si(111) surface nitridation and energetics of Si3N4/Si(111) interface
    T.L. Petrenko, V.P. Bryksa, I.V. Dyka, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, A.V. Kuchuk // Applied Surface Science, 2019, V.483, P.302-312.

  10. The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Y. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2019, V.22, No 1, P.119-129.

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2019