укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
- Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
By Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Oksana S. Lytvyn, Anna Piotrowska, Roman A. Minikayev, and Renata Ratajczak // Advanced engineering materials. 2006, 8, No3. P.209-212. (Cited 4 times)Download: [pdf] - Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л. Дмитрук, А.В. Каримов, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, С.Г. Конников, И.Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников, 2006, T.40, вып.7. C.876-881. (Cited 1 times)Download: [pdf] - Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире.
В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, М. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.В. Витусевич, А.Е. Беляев // Физика и техника полупроводников, 2006. T.40, вып.9. C.1087-1093. (Cited 7 times)Download: [pdf] - Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering
Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, and G. J. Salamo, V. V. Strelchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, and M. Ya. Valakh, M. O. Manasreh // Journal of Applied Physics, 2006, V. 99, Issue 2, P.023517(1-10). DOI: 10.1063/1.2163009 (cited 13 times)Download: [pdf] - Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N пленок в системе металлизации Au/GaN
А.В. Кучук, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, A. Piotrowska // Журнал технической физики, 2006, T.76, вып.10. C.132-135. (cited 3 times)Download: [pdf] - Решение дисперсионного уравнения в явном виде для случая двух сильных волн (The solution of the dispersion equation in an explicit format for a case of two strong waves)
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофиз. новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т.28, Issue 2, с.227—244. (Cited 6 times)Download: [pdf] - Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448Download: [pdf] - Моделирование дифракции рентгеновских лучей от многослойной структуры с различным градиентом состава на границах слоев
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофизика и новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т. 28, № 5, сс. 619—629Download: [pdf] - Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)Download: [pdf] - Interface Structural Defects and Photoluminescence Properties of Epitaxial GaN and AlGaN/GaN Layers Grown on Sapphire
V. P. Kladko, S. V. Chornen’kii, A. V. Naumov, A. V. Komarov, M. Tacano, Yu. N. Sveshnikov, S. A. Vitusevich, and A. E. Belyaev // Semiconductors, 2006, Vol. 40, No. 9, pp. 1060–1065. (Cited 7 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
