Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

  1. О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
    Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В.  // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.

    Download: [pdf]

  2. Властивості епiтаксiйних шарів арсеніду галію при долегуваннi розплаву рідкоземельними елементами.
    Семенова Г.М., Кладько В.П., Криштаб Т.Г., Круковський С.Й., Світельський О.В.  // Український Фізичний Журнал, 1995, Т.40, №10. С.1101-1106.

  3. Photoluminescence and X-ray studies of thin layers until single quantum wells.
    Svitelskii A.V., Semenova G.N., Kladko V.P., Kryshtab T.G.  // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics. Proceeding SPIE, 1995, V.2648. P.326-333.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018