:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
- О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В. // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.Download: [pdf] - Властивості епiтаксiйних шарів арсеніду галію при долегуваннi розплаву рідкоземельними елементами.
Семенова Г.М., Кладько В.П., Криштаб Т.Г., Круковський С.Й., Світельський О.В. // Український Фізичний Журнал, 1995, Т.40, №10. С.1101-1106. - Photoluminescence and X-ray studies of thin layers until single quantum wells.
Svitelskii A.V., Semenova G.N., Kladko V.P., Kryshtab T.G. // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics. Proceeding SPIE, 1995, V.2648. P.326-333.Download: [pdf]