Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

  1. Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
    Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №8, C.922-925. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  2. Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным излучением
    С.В. Пляцко, В.П. Кладько // Физика и техника полупроводников, 1997, том. 31, №10

    Download: [pdf]

  3. Si/Si1-xGex epitaxial layers and superlattices. Growth and structural characteristics
    F.F. Sizov, V.P. Kladko, S.V. Plyatsko, A.P. Shelyakov, Yu.N. Kozyrev, V.M. Ogenko // Semiconductors 31 1997, (8), P.786-788. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  4. Effect of infrared laser radiation on the structure and electrophysical properties of undoped single-crystal InAs
    S.V. Plyatsko, V.P. Kladko // Semiconductors 31 (10)

    Download: [pdf]

  5. Механізм формування структурної неоднорідності в монокристалах А3В5 та її вплив на iнтегральну інтенсивність квазiзаборонених рефлексiв.
    Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №9. С.1102-1104.

    Download: [pdf]

  6. Аналіз нестехiометрiї GaAs при вимірюваннях інтенсивності квазiзаборонених рефлексів поблизу К-країв поглинання.
    Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №7. С.894-897.

  7. Вплив лазерного IЧ-опромiнення на поведінку власних точкових дефектів в монокристалах арсеніду індію.
    Пляцко С.В., Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №6. С.722-727.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018