Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Investigation of defect structure of InGaNAsSb/GaAs quantum wells
    L. Borkovska, N. Korsunska, V. Kladko, T. Kryshtab, V. Kushnirenko, M. Slobodyan, O. Yefanov, Ye. Venger, S. Johnson, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Materials Science and Engineering C 27 (2007) 1038–1042

    Download: [pdf]

  2. Structural anisotropy of InGaAs/GaAs(001) quantum dot chains structures
    V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, O.M. Yefanov, V.F. Machulin, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, and G.J. Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 204, No. 8, 2567–2571 (2007) DOI 10.1002/pssa.200675678 (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  3. Influence of Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Silicon Crystals.
    Litovchenko V.G., Lisovs'kyy I.P., Klad'ko V.P., Zlobin S.O., Muravs'ka M.V., Efremov A.A., Slobodyan M.V.  // Ukrainian Journal of Physics 2007, Vol.52, N 10, p.958-966

    Download: [pdf]

  4. Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).
    Кладько В.П., Слободян Н.В., Борковская Л.В., Ефанов А.Н.  // Металлофизика и новейшие технологии. 2007, Т. 29, №10. С.1323-1332.

    Download: [pdf]

  5. Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах InхGa1-хAs/ GaAs.
    В.П. Кладько, В.В.Стрельчук, Н.В.Слободян, А.Н.Ефанов, В.Ф.Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo  // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2007, Т.5, вип.3, C.729-738.

    Download: [pdf]

  6. Исследования процессов интеркалирования водорода в слоистые кристаллы InSe и GaSe
    Ю.И. Жирко, З.Д. Ковалюк, В.П. Кладько, В.В. Трачевский, И.П. Шаповалова, А.Л. Ворсовский  // Proc. 15Intern.Conf.“HTM-2007”, Донецьк, 2007, V.2. P.606-610.

    Download: [pdf]

  7. Нанокомпозитные нк-TaN/а-Si3N4 “Mictamict” пленки в схемах металлизации нитрида галлия для приборов высокотемпературной электроники.
    Kuchuk A.V., Kladko V.P., Piotrowska A., Lytvyn O.S., Guziewicz M., Minikaev R.  // Харьковская нанотехнологическая ассамблея – 2007 \"Тонкие пленки\", Харків. 2007. – Т.2. С.43-48.

  8. Microstructural aspects of nucleation and growth of (In,Ga) As/GaAs(001) islands with low indium content.
    Kladko V.P., Strelchuk V.V., Kolomys А.F., Slobodian M.V., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Kunets Vas.P., Salamo G.J.  // Journal of Electronic Materials. 2007. V.36, No 12. P.1555-1561. (Cited 5 times)

    Download: [pdf]

  9. On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al2O3 Schottky barrier diodes.
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kuchuk A.V., Milenin V.V., Sveshnikov Yu.N., Sheremet V.N.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2007. V.10, No 3. P.1-5. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  10. Диагностика дефектов монокристаллов по деформационным зависимостям полной интегральной отражательной способности І. Лауэ дифракция в условиях аномального прохождения.
    Шпак А.П., Молодкин В.Б., Дмитриев С.В., Первак Е.В., Рудницкая И.И., Динаев Ю.А., Низкова А.И., Кононенко О.С., Катасонов А.А., Заболотный И.Н., Мельник А.В., Василик Я.В., Пархоменко Т.И., Ниничук Л.И., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В.  // Металлофизика и нов. технологии. 2007. Т.29, №8. С.1009-1019.

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2018