Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Influence of the Curvature Radius of Multilayer Structures on X-Ray Diffraction Spectra
    V.P. Kladko, M.V. Slobodyan, V.F. Machulin // Ukrainian Journal of Physics, 2008, T.53. №2. C.167-171. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  2. Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
    О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк  // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145. cited 2 times

    Download: [pdf]

  3. A new type of structural defects in CdZnSe/ZnSe heterostructures.
    L.Borkovska, N.Korsunska, V.Kladko, M.Slobodyan, O.Yefanov, Ye.Venger, T.Kryshtab, Yu.Sadofyev, I.Kazakov // Microelectronics Journal. 2008. V. 39, Issue 3-4, P.589-593.

    Download: [pdf]

  4. Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694. (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  5. Effect of Growth Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Cz-Si Crystals of Different Diameter.
    Litovchenko V.G., Lisovskyy I.P., Claeys C., Kladko V.P., Zlobin S.O., Muravska M.V., Efremov O.O., Slobodian M.V.  // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133, P.405-412. (cited 1 times)

    Download: [pdf]

  6. Дослідження внутрішніх механічних напружень в кристалах Si, вирощених методом безтигельної зонної плавки
    Асніс Ю.А., Баранський П.І., Бабич В.М., Заболотін С.П., Кладько В.П., Слободян М.В.  // Металлофизика и новейшие технологии. 2008, Т.30, № 9. С.1229-1238.

    Download: [pdf]

  7. Accessible reciprocal-space region for non-coplanar Bragg and Laue geometries
    O. Yefanov // Journal of Applied Crystallography, 2008, Vol.41, Part 1. P.110-114. http://dx.doi.org/10.1107/S0021889807048765 (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  8. Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
    A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak.  // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100. Issue 4. (042003). (cited 20 times)

    Download: [pdf]

  9. XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
    O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625

    Download: [pdf]

  10. Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 17 times)

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2018