Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
    L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.

    Download: [pdf]

  2. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
    V.P. Kladko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 157-162.

    Download: [pdf]

  3. Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.

    Download: [pdf]

  4. Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.

    Download: [pdf]

  5. Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф.  // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154.

  6. Influence of hydrostatic pressure at the temperatures about 1500K on defect structure of Czochralski silicon.
    J. Auleytner, L. Datsenko, V. Kladko, V.Machulin, V. Melnyk, I. Prokopenko, J. Bak-Misiuk and A. Misiuk // Journal of Alloys and Compounds, 1999, V.286, Issue 1-2. P.246-249.

    Download: [pdf]

  7. Structure changes in Cz-Si single crystals irradiated with fast oxygen and neon ions.
    Datsenko L., Zymierska D., Auleytner J., Klinger D., Machulin V.F., Kladko V.P., Melnik V., Prokopenko I., Czosinka T., Choinski J. // Acta Physica Polonica, (А). 1999. V.96, N1, P.137-142. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  8. Особливості просторового розподілу дифузного розсіяння рентгенівських променів в структурно–неоднорідних кристалах.
    Мачулін В.Ф., Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М.  // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №10. С.1234-1240.

    Download: [pdf]

  9. Structure perfection of oxygen-implanted floating zone grown silicon subjected to high pressure treatment.
    Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Misiuk A., Kladko V., Bak-Misiuk J., Melnik V., Antonova I.V., Popov V.P.  // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.257-264

  10. Influence of implantation with fast oxygen ions and annealing on structure perfection of silicon crystals grown by Czochralski method.
    Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Kladko V., Melnik V., Dotsenko Yu., Czosnika Ju., Choinski J.  // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.265-270.

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2018