укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
- Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения.
Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ, 1996, Т.22, №2, C.32-36. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В. // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.Download: [pdf] - Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В. // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849. (Cited 2 times)Download: [pdf]
