Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

  1. Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения.
    Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ, 1996, Т.22, №2, C.32-36. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  2. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
    Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В.  // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.

    Download: [pdf]

  3. Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
    Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В.  // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018