Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Публiкацiї вiддiлу
Статті
Кількість статей на одній сторінці:    

:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 ::

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching
    K.P. Konin, O.Y. Gudymenko, V.P. Kladko, O.O. Lytvynenko, D.V. Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 9, P.5113–5117.

  2. Спосіб отримання високодисперсних порошків неорганічних матеріалів.
    Дремлюженко Ксенія Сергіївна, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Олена Сергіївна, Борук Сергій Дмитрович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Косінов Олександр Генріхович, Кульчицький Богдан Несторович, Кладько Василь Петрович, Гудименко Олександр Йосипович // ПАТЕНТ НА КОРИСНУ МОДЕЛЬ, 10.09.2018, Бюл.No17.

    Download: [pdf]

  3. Correction to: Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching (Journal of Electronic Materials, (2018), 47, 9, (5113-5117)
    KP Konin, OY Gudymenko, VP Klad’ko, OO Lytvynenko, DV Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 10, P.6334–6334.

    Download: [pdf]

  4. X-ray analysis for micro-structure of AlN/GaN multiple quantum well systems
    Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, V.29, https://doi.org/10.1007/s10854-018-0315-3

  5. Моделирование рентгенодифракционных спектров от структур с множественными квантовыми ямами AlN/GaN на AlN(0001) с учётом шероховатости и вариации толщины слоёв по глубине
    А. И. Любченко, В. П. Кладько // Металлофизика и новейшие технологии, 2018, V.40, вып.6, С.759-776.

    Download: [pdf]

  6. Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum well with improved carrier confinement
    Perry C Grant, Joe Margetis, Wei Du, Yiyin Zhou, Wei Dou, Grey Abernathy, Andrian Kuchuk, Baohua Li, John Tolle, Jifeng Liu, Greg Sun, Richard A Soref, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu // Nanotechnology, 2018, V.29, Issue 46, 465201.

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]


 
© 2006-2018