укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Laue Diffraction of X-rays in GaAs at the Zero Value of the Real Part of the Structure Factor for Quasiforbidden Reflections
L.I. Datsenko, V.P. Kladko // Crystallogr. Rep. V.45, 705 (2000). Cited 1 timeDownload: [pdf] - Динамические эффекты при дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в бинарных кристаллах с сильноотличающимися атомными форм-факторами.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Мельник В.М. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000, №10, С.3-8.Download: [pdf] - Lateral and depth inhomogeneities in Zn-based heterostructures grown on GaAs by MBE.
E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Kladko, L.V. Shechovtsov, M.P. Semtsiv, L.V. Borkovskaya and S.Yu. Sapko // Thin Solid Films. 2000, V.367, Issue 1. P.184-188.Download: [pdf] - Energy-dispersive studies of the integrated reflectivity of Bragg diffracted continuous X-ray spectrum for high sensitive structure diagnostics of imperfect single crystal.
Grigoriev D.O., Manninen S., Datsenko L.I., Khrupa V.I., Molodkin V.B., Galamboshi S., Kladko V.P., Machulin V.F. // Metal. Phys. and Adv. Technology. 2000, V.22, №5. С.32-40.Download: [pdf] - Магнитная восприимчивость, текстура и разрушение монокристаллов молибдена при деформации сжатием.
Бродовой А.В., Зыков Г.Л., Кладько В.П., Колесниченко В.А., Лоцко Д.В., Попов А.Г., Рачек А.П., Солонин С.М., Скороход В.В. // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, Т.22, №1. С.45-50.Download: [pdf] - Электрофизические и структурные свойства PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях
Пляцко С.В., Кадышев С., Кладько В.П., Кулумбетов Ж.Э., Громовой Ю.С. // Наука и новые технологии, 2000, №1, C.12-17. - Лауэ-дифракция рентгеновских лучей в GaAs при нулевом значении действительной части структурного фактора для квазизапрещенных отражений.
Даценко Л.И., Кладько В.П. // Кристаллография, 2000, Т.45, №5, С.775-778. Cited 1 time - Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.Download: [pdf] - Influence of absorption level on mechanisms of Bragg diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
V.P. Kladko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 157-162.Download: [pdf] - Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
