Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8  ;

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
    Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В.  // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.

    Download: [pdf]

  2. Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
    Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В.  // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  3. О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
    Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В.  // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.

    Download: [pdf]

  4. Властивості епiтаксiйних шарів арсеніду галію при долегуваннi розплаву рідкоземельними елементами.
    Семенова Г.М., Кладько В.П., Криштаб Т.Г., Круковський С.Й., Світельський О.В.  // Український Фізичний Журнал, 1995, Т.40, №10. С.1101-1106.

  5. Photoluminescence and X-ray studies of thin layers until single quantum wells.
    Svitelskii A.V., Semenova G.N., Kladko V.P., Kryshtab T.G.  // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics. Proceeding SPIE, 1995, V.2648. P.326-333.

    Download: [pdf]

  6. Вплив типу власних точкових дефектів на інтенсивність дифрагованих рентгенівських променів для квазізаборонених рефлексiв.
    Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1994, Т.39, №3. С.330-334.

    Download: [pdf]

  7. Релаксационные процессы в напряженных гетероструктурах на основе GaAs и InP (эффект дальнодействия).
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н.  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1994, Вып.28, С.77-89.

    Download: [pdf]

  8. Слои AlxGa1-xAs в системе Ga-Bi-Al-GaAs.
    Кладько В.П., Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Круковский С.И.  // Журнал Технической Физики. 1994, Т.64, №5, С.103-106.

    Download: [pdf]

  9. Изменения структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных слоев CdHgTe при наносекундном лазерном облучении.
    Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Лукьяненко В.И., Мозоль П.Е., Сукач А.В. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994, №2, С.60-66.

    Download: [pdf]

  10. Структурные дефекты и фотолюминесценция слоев InхGa1-хАs.
    Семенова Г.Н., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Садофьев Ю.Г.,  // Физика и Техника Полупроводников, 1993, Т.27, №1. С.162-167.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019