Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна                                                                 
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці) 

Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів

Науково-організаційна робота:

- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";
- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 413 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 170
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 530 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1040 (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 141
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 4

Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й.,  Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).  Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С. 


Список публікацій:

  1. Особенности рассеяния рентгеновских лучей в бинарных кристаллах при использовании квазизапрещенных отражений (случай Брэгга)
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // В кн.: Мат. IV Всес. совещан. по когерентному взаимодействию излучений с веществом. М.:1988. C.46-47.

  2. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Фомин А.В., Горшков Ю.А.  // Авторське свідоцтво на винахід №1626860 (ДСК)

  3. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах CdTe с макровыделениями фаз теллура и кадмия.
    Кладько В.П., Гуреев А.Н., Даценко Л.И., Курбанов К.Р., Фомин А.В.  // Кристаллография 1987, Т.32, №5, С.1202-1205. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  4. Особенности динамического рассеяния рентгеновских лучей с длинами волн вблизи К-краев поглощения компонентов бинарными кристаллами
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // В кн.: Матер. 2 Всес. совещ. по компл. программе “Рентген”, Черновцы 1987.

  5. Исследование типа доминирующих микродефектов в “бездислокационном” теллуриде кадмия.
    Гуреев А.Н., Кладько В.П. Даценко Л.И., Скороход М.Я.  // Український Фізичний Журнал, 1986. Т.31, №1 С.101-104

    Download: [pdf]

  6. Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
    Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В.  // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89.

  7. Простой рентгенодифракционный метод контроля глубины нарушенного слоя в реальных кристаллах.
    Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Когут И.В.  // Ред. журн. ”Элект. техника”, 1986. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника” – №4225.

  8. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
    Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Хрупа В.И., Кисловский Е.Н., Кладько В.П,, Низкова А.И., Прокопенко И.В., Скороход М.Я.. // Авторське свідоцтво на винахід №1255906

  9. Контроль толщины нарушенных слоев, образующихся при резке и шлифовке несовершенных кристаллов.
    Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Фомин А.В., Хрупа В.И.  // Заводская лаборатория, 1985, Т.51, №7, С.30-31

    Download: [pdf]

  10. Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-краев поглощения в тонких монокристаллах бинарных полупроводников.
    Даценко Л.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И.  // Кристаллография, 1984, Т.29,№6, С.1066-1070.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017