Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна                                                                 
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці) 

Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів

Науково-організаційна робота:

- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";
- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 431
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 175
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 540 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1100  (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 143
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 4

Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й.,  Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).  Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С. 


Список публікацій:

  1. Топология маятниковых колебаний интенсивности в кристаллах с планарными дефектами в случае брэгг-дифракции.
    Григорьев Д.О., Даценко Л.И., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Мельник В.М.  // Металлофизика и новейшие технологии. 2000. Т.22, №2. С.58-65.

    Download: [pdf]

  2. Влияние кулоновских дефектов и нестехиометрии в GaAs на энергетическую зависимость характеристик динамической брэгг-дифракции рентгеновских лучей.
    Кладько В.П., Олиховский С.И., Даценко Л.И.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, Т.22, №6. C.20-27.

    Download: [pdf]

  3. Laue Diffraction of X-rays in GaAs at the Zero Value of the Real Part of the Structure Factor for Quasiforbidden Reflections
    L.I. Datsenko, V.P. Kladko  // Crystallogr. Rep. V.45, 705 (2000). Cited 1 time

    Download: [pdf]

  4. Динамические эффекты при дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в бинарных кристаллах с сильноотличающимися атомными форм-факторами.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Мельник В.М.  // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000, №10, С.3-8.

    Download: [pdf]

  5. Lateral and depth inhomogeneities in Zn-based heterostructures grown on GaAs by MBE.
    E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Kladko, L.V. Shechovtsov, M.P. Semtsiv, L.V. Borkovskaya and S.Yu. Sapko // Thin Solid Films. 2000, V.367, Issue 1. P.184-188.

    Download: [pdf]

  6. Energy-dispersive studies of the integrated reflectivity of Bragg diffracted continuous X-ray spectrum for high sensitive structure diagnostics of imperfect single crystal.
    Grigoriev D.O., Manninen S., Datsenko L.I., Khrupa V.I., Molodkin V.B., Galamboshi S., Kladko V.P., Machulin V.F., // Metal. Phys. and Adv. Technology. 2000, V.22, №5. С.32-40.

    Download: [pdf]

  7. Магнитная восприимчивость, текстура и разрушение монокристаллов молибдена при деформации сжатием.
    Бродовой А.В., Зыков Г.Л., Кладько В.П., Колесниченко В.А., Лоцко Д.В., Попов А.Г., Рачек А.П., Солонин С.М., Скороход В.В.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, Т.22, №1. С.45-50.

    Download: [pdf]

  8. Электрофизические и структурные свойства PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях
    Пляцко С.В., Кадышев С., Кладько В.П., Кулумбетов Ж.Э., Громовой Ю.С.  // Наука и новые технологии, 2000, №1, C.12-17.

  9. Лауэ-дифракция рентгеновских лучей в GaAs при нулевом значении действительной части структурного фактора для квазизапрещенных отражений.
    Даценко Л.И., Кладько В.П. // Кристаллография, 2000, Т.45, №5, С.775-778. Cited 1 time

  10. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
    L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017